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ｄｏｉ：
１０３９６９／ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１００３
高功率 微波功率放大模块及其应用
ＧａＮ
， ， ， ， ，
唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰
（南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室，南京 ）
２１００１６
摘要：采用 微波功率 和 管芯，应用 匹配电路实现波段微波
ＧａＮ ＨＥＭＴ０４ｍｍ ２ｍｍ ＧａＡｓ Ｃ
功率模块。该器件研制中采用两级放大电路，正负电源结构，在 ， 工作电压下，饱
５５ＧＨｚ ２８Ｖ
和输出功率达到了 ，此时功率增益为 、功率附加效率（ ）为 。实现了低电流、
１４Ｗ ２０ｄＢ ＰＡＥ ４６％
高效、高可靠性、可实用的功率模块。
关键词：氮化镓；高电子迁移率晶体管；功率放大模块
中图分类号： ； 文献标识码： 文章编号： （ ）增刊
ＴＮ３０４２３ ＴＮ７２ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ０００７０３
ＡｐｐｌｉａｔｉｏｎｓｏｆＨｉｇｈＰｏｗｅｒＧａＮＭｉｃｒｏｗａｖｅＰｏｗｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒＭｏｄｕｌｅｓ
， ， ， ， ，
ＴａｎｇＳｈｉｊｕｎ ＸｕＹｏｎｇｇａｎｇ ＣｈｅｎＴａｎｇｓｈｅｎｇ ＲｅｎＣｈｕｎｊｉａｎｇ ＺｈｏｎｇＳｈｉｃｈａｎｇ ＣｈｅｎＣｈｅｎ
（ＮａｔｉｏｎａｌＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｒｉｔｓａｎｄＭｏｄｒｌｅｓ，
， ， ）
ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｎａｎｊｉｎｇ ２１００１６ Ｃｈｉｎａ
：
Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｃｂａｎｄｐｏｗｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｒｍｏｄｕｌｅｗａｓｒｅａｌｉｚｅｄｂｙｔｈｅ０４ｍｍａｎｄ２ｍｍＧａＮＨＥＭＴｃｈｉｐａｎｄ
ｔｈｅｍａｔｃｈｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｏｎＧａＡｓｓｕｂｓｔｒａｔｅ． Ｔｗｏｌｅｖｅｌａｍｐｌｉｆｉｅｒｃｉｒｃｕｉｔａｎｄｐｏｓｉｔｉｖｅｎｅｇａｔｉｖｅｐｏｗｅｒｗｅｒｅｕｓｅｄ．
Ｔｈｅｏｕｔｐｕｔｐｏｗｅｒ， ，
ｐｏｗｅｒｇａｉｎａｎｄ ＰＡＥ ａｒｅａｃｈｉｅｖｅｄ１４Ｗ ２０ｄＢａｎｄ４６％ ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙａｔｔｈｅ５５ＧＨｚ
， ，
ａｎｄ２８Ｖ． Ｔｈｅｐｏｗｅｒｍｏｄｕｌｅｈａｓｌｏｗｃｕｒｒｅｎｔ ｈｉｇｈｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｈｉｇｈｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙａｎｄｐｒａｃｔｉｃａｌｖａｌｕｅ．
Ｋｅｙｗｏｒｄｓ： ； ；
ＧａＮ ＨＥＭＴ ｐｏｗｅｒａｍｐｌｉｆｉｅｄｍｏｄｕｌｅ
ＥＥＡＣＣ： ；
２５２０Ｄ １２２０
低，日本 公司采用栅挖槽工艺研制成功了凹
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