多孔硅制备方法新进展及在微传感器中的应用.pdfVIP

维普资讯 第25卷 第6期 压 电 与 声 光 Vo1．25No．6 2003正 12fl PIEZOELECTRICS8LACOUSTOOPTICS Dec．2003 文章编号 ：1004—2474(2003)06—0521—04 多孔硅制备方法新进展及在微传感器中的应用 田 斌 ，胡 明，马家志，张之圣 (天津大学 电子信息工程学院，天津 300072) 摘 要 ：对近几年 国内外出现的几种多孔硅制备方法和装置 ．特别是 电化学方法如旋转电解槽法 、电偶 电流法 和双 电解槽法进行了详细的介绍，并对它们各 自的优缺点进行 比较和分析 ，认为电化学刻蚀技术因为其特殊的优 势 ，将在以后的发展中得到更广泛的应用。多孔硅 由于其独特的物理 、化学和光学性能及技术优势 ，已经在微传感 器领域得到广泛的应用 。 关键词 ：多孔硅 ；制备方法；电化学 ；微传感器 中图分类号 ：TN402 文献标识码 ：A New Developm entofthePreparation M ethodsofPorousSilicon anditsApplication in M icro—sensors TIAN Bin，HU M ing，MA Jia—zhi，ZHANG Zhi—sheng (SchoolofElectronicInformationEngineering．TianjinUniversity．Tianjin300072，China) Abstract：Serveralnovelpreparationmethodsoftheporoussiliconarepresented，especially electrochemical methodsincluderotatingelectrochemicalcell，internalcurrentgenerationanddoublecellstechnology．Theadvan— tagesanddisadvantagesofthesetechnologiesarepresentedindetail．Itisthoughtthattheelectrochemicalmethods willbeusedabroadbecauseoftheirspecialsuperiorities．Poroussiliconanditspreparationtechnologyhavebeen usedbroadlyinthefieldsofmicro—sensorsbecauseofitsspecialperformanceinphysics，chemistryandoptics． Keywords：poroussilicon；preparationmethod；electrochemical；micro—sensors 孔硅层上表面的粗糙度和品格结构基本上仍保持和 1 引言 衬底一样 ，这就有利于在多孔层上进行其他操作而 自1990年 Canham发现多孔硅发射可见光的 不影响性能；所产生的多孔硅层具有发光范围广、发 现象以来，人们对多孔硅的形成机理、特性 以及可能 光强度大等特点。因此这种多孔硅形成技术 已成为 的技术应用作了大量的工作 ，也对多孔硅的制备方 制备 SOI、MEMS和 CMOS元件等不可缺少的关键 法进行了深入 的研究，出现了很多制备方法 ，比如阳 环节 。 极刻蚀法 、光诱导刻蚀 、锈蚀法、循环氧化刻蚀或 自