沉积参量及时效时间对SiO薄膜残余应力的影响.pdfVIP

第 25 卷 　第 1 期 光 　学 　学 　报 Vol . 25 ,No . 1 　　　　　　　　　　　　　 　　　　 　 　　　　　　　 2005 年 1 月 A C TA O P T ICA SIN ICA J anuary , 2005 文章编号 :(2005) 0 11265 沉积参量及时效时间对 SiO2 薄膜残余应力的影响 邵淑英 　田光磊 　范正修 　邵建达 ( 中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜技术发展中心 , 上海 20 1800) 摘要 : 　SiO2 薄膜由电子束蒸发方法沉积而成 。用 GPI 数字波面光学干涉仪测量了不同沉积条件下玻璃基底镀膜前 后曲率半径的变化 ,并确定了 SiO2 薄膜中的残余应力 。在其他条件相同的情况下 , 当沉积温度 由 190 ℃升高到 350 ℃时 ,SiO2 薄膜中的压应力由- 156 MPa 增大为 - 289 MPa 。氧分压由3 . 0 ×10 - 3 Pa 升高到 13 . 0 ×10 - 3 Pa 时 , SiO2 薄膜中的应力由- 223. 5 MPa 变为 20. 4 MPa 。通过对薄膜折射率的测量 ,发现薄膜的堆积密度随沉积条件的改 变也发生了规律性的变化 。应力的变化主要是由于沉积时蒸发粒子的动能不同,导致薄膜结构不同引起的。同时 , 在样品的存放过程中,发现随着存放时间的延长 ,薄膜中的应力表现出了由压应力状态向张应力状态演变的趋势 。 关键词 : 　薄膜光学 ; SiO2 薄膜 ; 残余应力 ; 沉积温度 ; 氧分压 ; 时效 中图分类号 : O484 . 4 　　　文献标识码 : A I n f l u e n ce s of t h e D ep os i t i o n P a r a m et e r s a n d A gi n g Ti m e o n t h e R e s i d u a l S t r e s s of S i O2 Fi l m s Shao Shuyin g 　Tian Guan glei 　Fan Zh en gxiu 　Shao J ianda ( Resea r ch Devel op m e n t Cen t er f or Op t ical Thi n Fi l m Coa t i n gs , Sh a n gh a i I n st i t u t e of Op t ics a n d Fi n e Mech a n ics , The Chi n ese Aca dem y of Scie n ces , Sh a n gh a i 20 1800) A bs t r a ct : 　The r esidual st r ess in t he SiO2 films dep osit ed by elect r on beam evap or ation under diff er ent conditions is measur ed by viewing t he subst r at e deflection usin g GPI op tical int erf er omet er in diff er ent under cor dition . The influences of dep osition t emp er at ur es , oxygen p ar