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遠東學報第二十八卷第二期 中華民國一百六月出版
氮化鎵藍光發光二極體電特性之改善
Improvement of the Electric Properties for GaN-Based Light
Emitting Diode Application
錢韋至 遠東科技大學電子工程系講師
摘 要
本文以化學氣相沈積法製作氮化鎵系之藍光發光二極體，並利用磊晶結
構之改善，進而降低發光二極體之驅動電壓。為了驗證氮化鎵磊晶結構對於
發光二極體之電性的改善，本研究以相同條件之氧化銦錫(ITO)作為透明導電
層與接觸電極。藉由磊晶結構改善方式製作之 LED ，其亮度可增加100％，
而其驅動電壓減少29％。
關鍵詞 ：氮化鎵、發光二極體、化學氣相沈積、氧化銦錫
Wei-Chih Chien, Instructor, Depart. of Electronic Engineering, Far East University
Abstract
This paper proposed a method to prepare the GaN-based light emitting diode
(LED) for improving the electric properties. To verify the electric properties of
GaN-based LED, the same conditions of indium tin oxide (ITO) as the current
spreading layers and contact layers are used. Accordingly, the different epi-layers
are used studied the electrical properties of GaN-based LED, output intensity and
the driving voltage with the advanced structure can be enhanced up to 100％ and
reduced to 29％, respectively.
Keywords :GaN, Light Emitting Diode (LED), Metal Organic Chemical Vapor
Deposition (MOCVD), Indium Tin Oxide (ITO)
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遠東學報第二十八卷第二期 中華民國一百六月出版
一、前 言 二、材料與方法
三族氮化物化合物半導體，由於其能隙的大 本研究中氮化鎵 LED 樣品皆以德國
小，使得其在全彩指示及高亮度(high brightness) AIXTRON Close Coupled Showerhead (CCS) 19” ×2
發光二極體(light emitting diode, LED)的可見光應 製備。首先，以c 面(c-plane)藍寶石(sapphire)基板，
用範圍上，逐漸佔有一席之地。而三族氮化物化 以600℃成長30 nm 氮化鎵孕核層，而n 型氮化鎵
合物半導體，可藉由三族元素成分的調整，使得 (n-GaN)於1170℃成長1.8µm，其次，為5 對(5 pairs)
其發光波長可由深紫外(ultra
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