Cd掺杂对ZnOIn薄膜光电性质的影响.pdfVIP

2013 2013年5月 重庆师范大学学报(自然科学版) May No．3 Normal Science) V01．30 第30卷第3期 Journ“ofChongqingUniversity(Natural Cd掺杂对ZnO：In薄膜光电性质的影响” 孟祥丹1～，孔春阳1’2，李万俊1’2～，秦国平“2’3．阮海波h2～，赵永红1’2，卞萍1’2 (1．重庆师范大学物理与电子工程学院，光学工程重点实验室，重庆401331； 2．重庆市光电功能材料重点实验室，重庆401331； 3．重庆大学物理学院，重庆401331) 摘要：呆用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了不同Cd掺杂浓度的Zn0：(In，Cd)薄膜，并研究了Cd掺杂浓度对薄 膜光学和电学性质的影响。透射光谱测试发现，掺cd对薄膜的透射率影响不大，都在80％以上，且随着Cd掺杂浓度的 增加，薄膜的禁带宽度在3．253～3．148eV范围内减小。霍尔测试表明，Cd掺杂增强了薄膜的导电性，当Cd掺杂浓度为 oat．％、2at．％和4 和光致发光谱分析认为，cd掺入后zn()的导带明显下移，这不仅导致Zn0：(In，cd)薄膜的带隙变窄，同时使施主杂质 (Zn，和Inz。等)的电离能减小，从而增强了薄膜的导电性能。 关键词：Zno：(In，Cd)薄膜；光学性质；电学性质 中图分类号：0484 文献标志码：A 自上世纪以来，透明导电薄膜因可应用于发光器 关于Cd与IIIA族元素共掺Zno透明导电薄膜的研究 件、太阳能电池、平板液晶显示器、光波导、传感器以及 较少。为此，本文采用射频磁控溅射技术在石英衬底上 红外反射器等领域而广受关注。目前．透明导电薄膜 主要有Inz Os、Sn2()和Zn()基3大体系。Zn()基透光谱、光致发光谱及霍尔测试等手段研究了不同叫掺 明导电薄膜开始于上个世纪80年代，与其它透明导电 杂浓度对Zn()：(In，Cd)薄膜光学和电学性质的影响。 薄膜相比，znO具有原材料丰富、价格低廉、无毒以及 1试验 绿色环保，且制备zn0薄膜所需要的沉积温度较低等 优点，因此，被人们认为是最有希望替代ITO薄膜的 采用射频磁控溅射法在边长为6．ocm的石英玻 材料[1。27。在Zn()基透明导电薄膜体系中研究最广 泛、最深入的是Al掺杂Zn0薄膜(AZ0)[3“‘I。In掺杂浓度为3 杂Zn()薄膜(1Z())也是这个体系最早的研究对象之(1n，Cd)薄膜将In的掺杂浓度固定为1．oat．％，Cd at．％(B)、4at．％(c) 一，比如国内学者叶志镇等人早在1987年就开始研究掺杂浓度分别为oat．％(A)、2 IZO透明导电薄膜，随后有关In掺杂Zn()薄膜的研和6 究相继出现[5’7]。近来，能带可调的透明导电薄膜也广 受关注，如Mg掺杂ZnO：IIIA[8。9]可以增加ZnO的薄膜制备过程中，本底真空度为8．O×10“Pa，溅射气 带隙和蓝端光的透过率。与此相反，Cd掺杂Zn()：体是纯度为99．999％的氩气，工作压强为2．oPa，基 eV)。 IIIA可以降低Zn0的带隙(CdO的带隙为2．3片与靶材之间距离为8．ocm，溅射的功率和时问分别 同时，唐鑫等人一103报道了Zn0掺Cd后禁带宽度变为looW和30min。 窄。再者，Zn()薄膜存在大量的本征施主缺陷(如 利用日立U一4100双光束紫外可见分光光度计在