非晶硅薄膜的制备及晶化研究.pdfVIP

ofYunnanNormal 云南师范大学学报(自然科学版) Journal University No．2) 2013年3月一33卷2期(V01．33 非晶硅薄膜的制备及晶化研究“ 段良飞1’2， 张力元1’2， 杨培志1’2， 化麒麟1’2， 邓双1’2， 廖华1’2 (1．可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室，云南昆明650092； 2．云南师范大学太阳能研究所，云南昆明650092) 摘要：采用磁控溅射技术首先在玻璃基片、单晶硅片上溅射非晶硅薄膜再在其表面溅射铝膜，并用 快速退火炉在不同温度下进行退火。利用台阶仪、拉曼散射光谱(Raman)仪和x射线衍射(xRD)仪对 薄膜进行性能表征。结果表明：在功率120W，气压1．5～2．5pa，时间为3．5～4．5h的条件下可制备得 非晶硅薄膜，Al诱导能降低晶化温度，并在500～600℃问存在一最佳晶化温度。 关键词：非晶硅薄膜；磁控溅射；铝诱导晶化；多晶硅 中图分类号： 0484．1 文献标志码：A 文章编号： 1007—9793(2013)02一0016一04 非晶硅(a—Si)是硅基薄膜太阳电池的基础材规律，研究了退火温度和铝诱导对非晶硅晶化的 料，其主要特点是：光吸收系数大、折射率高(3．o 影响。 ～4．o)和热性能良好[1]，因而用于太阳电池时，所 需薄膜的厚度仅为晶硅的1％左右。非晶硅薄膜 1 实验 太阳电池具有诸多优点，尤其是弱光性能好和温 度系数低，使其成为一种有潜力的薄膜光伏器件。 1．1薄膜的制备 非晶硅薄膜太阳电池制造工艺简单，能耗低，易实 室温下，采用JCP一450三靶磁控溅射镀膜 现大面积生产，既可采用玻璃衬底，又可采用不锈 仪，以单晶P型硅靶(纯度99．999％、电导率o． 钢、钛箔、铝箔和塑料等柔性衬底，因而可做成柔 02Qcm)和金属A1靶为原料，在玻璃衬底和单晶 性太阳电池，它既能应用在计算器、手表等弱光领 域，也能应用在微波中继站、光伏水泵和BIPV等底依次使用无水乙醇和去离子水在超声波清洗机 领域。鉴于此，非晶硅太阳电池近年来得到快速 中清洗10min；溅射气体使用纯度为99．99％的 发展[1叫]。但目前它还存在转换效率低和稳定性 较差(光致衰减效应)等缺点，为此，人们又研究了 非晶／微晶叠层太阳电池等，微晶硅和多晶硅薄膜 铝(A1)膜的功率60W，时间30s．利用快速退火炉 材料是未来硅基薄膜太阳电池的发展重点[5_7]。(RTP一500)在不同温度下对薄膜进行快速 微晶硅和多晶硅通常通过非晶硅晶化来获得。在 退火。 常规高温退火、快速光热退火、金属诱导晶化和激 1．2薄膜的表征 光晶化等方法中，快速光热退火和金属诱导晶化 Dektat150 薄膜的厚度及粗糙度由Veeco 由于所需设备简单，适于大面积制备，受到人们的 台阶仪(精确度o．1nm)获得；X射线衍射测试采 用BrukerII 重视。本文利用磁控溅射方法在玻璃基片、单晶 Apexx射线衍射仪；拉曼(Raman) 硅Si(100)上沉积了非晶硅(c【一Si)薄膜和旷Si／Al 膜，研究了工艺参数对薄膜厚度和粗糙度的影响 焦显微拉曼光谱仪。 * 收稿日期：2013—02—18 基金项目：国家自然科学基金联合基金资助项目(U1