基于单分子层去除机理的芯片化学机械抛光材料去除模型.pdfVIP

基于单分子层去除机理的芯片化学机械抛光材料去除模型.pdf

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( ) 第 6 卷第 1 期 江 南 大 学 学 报 自 然 科 学 版 Vol . 6  No . 1        2007 年 2 月 Journal of Southern Yangtze University( Natural Science Edition)      Feb .  2007  文章编号 :167 1 - 7 147 (2007) 0 1 - 0086 - 05 基于单分子层去除机理的芯片化学 机械抛光材料去除模型 赵永武 ,  王永光 (江南大学 机械工程学院 ,江苏 无锡 2 14 122) 摘  要 : 基于单分子层材料的去除机理 ,应用微观接触力学和概率统计方法建立了化学机械抛光 (CM P) 及材料去除的数学物理模型. 模型揭示了材料的去除率和磨粒的大小 、浓度呈非线性关系 , 而且模型预测结果与已有的试验数据相吻合 ,为进一步研究磨粒对 CM P 材料去除的影响提供了 新的研究视角. 关键词 : 化学机械抛光 ;模型 ;浓度 中图分类号 : T G 115 . 58 ; O 484 . 4 文献标识码 : A Model ing of Chemical Mechanical Pol ishing Material Removal Based on MolecularScale Mechanism ZHA O Yo ngw u ,  WAN G Yongguang ( School of Mechanical Engineering , Sout hern Yangtze U niver sit y , Wuxi 2 14 122 , China) Abstract :A bra sive p article i s a very import ant co mponent of t he chemical mechanical poli shin g ( CM P) sy st em . The p ap er addre sse s t he effect s of abra sive p article size an d concent ration wit hin t he CM P p roce ss ba sed on a molecularscale removal mo del . The p ap er al so con sider s t he effect s of t he p oli shing p ad . The p ropo sed mo del ba sed on t he cont act mechanic s and p robabilit y st ati stics p redict s a nonlinear dep endence of removal rat e on p article size and concent ration , w hich i s in goo d agreement wit h t he t ren d ob served exp eriment ally . The st udy al so deep en s a under st an din g of t he eff ect s of t he abra sive p article s size

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