均匀电场SF6短气隙放电过程动态模拟.pdfVIP

第29卷第6期 计 算 物 理 V01．29，No．6 CHINESE OFCOMPUTATIONALPHYSICS 2012年11月 JOURNAL Nov．，2012 文章编号：1001—246X(2012)06-0867-09 均匀电场SF6短气隙放电过程动态模拟 郑殿春， 夏云双， 朱士华， 王文龙， 赵大伟 (哈尔滨理工大学电气与电子工程学院，工程电介质及其应用技术教育部重点实验室，黑龙江哈尔滨150080) 摘要：根据基本物理定律和流体力学，构建均匀电场下sF。短气隙放电流体模型，运用通量校正传输法(flux． corrected transport)数值分析大气压下4mm间隙sF。的放电过程，展现放电空问带电粒子产生、复合、附着、扩散以 及光致电离动态过程，获得了放电间隙电场畸变、带电粒子动力学行为和放电通道形成发展历程和时空分布，根据 R—M判据求出模型放电过程中电子崩转向流注的时空ll缶界点，印证了光致电离在流注发展阶段的重要作用． 关键词：气体放电；六氟化硫；电子崩；流注；光致电离 中图分类号：0461 文献标识码：A 0 引言 sF。气体放电机制的探索一直是高压绝缘领域的研究热点，这主要是为了改善、优化绝缘结构，充分利用 气体电介质的绝缘特性，提高电气绝缘设计水平，满足电力系统长期运行安全可靠的要求，因此，深入探索 o． sF。气体放电过程的微观机制具有实际应用价值。1‘2 探索气体放电规律通常采用实验和理论两种研究方法．实验方法可以直接得到一定条件下气体的击穿 强度，但无法揭示气体放电机理．而理论研究不但可以获得系统参数对气体放电过程的影响以及作用机制， 而且还能够优化放电系统并实现控制气体放电过程． 气体放电的理论探索常采用Boltzmann分析法和Monte corrected 校正传输法(flux transport 功，该方法已经成为研究气体放电现象的重要手段1，但此方法多是基于气体放电的一维动力学模型． 本文采用气体放电二维流体模型，并运用FCT法对4 mm间隙均匀场中sF。放电过程进行数值解析，获 得了放电间隙电场畸变、带电粒子动力学行为以及放电通道形成的时空特性，为进一步探索气体放电规律提 供参考． 1 SF。短气隙放电模型 采用平行板电极结构如图1所示，极间距4mm，极板间充满sF。气体，外施36．8kV电压，使极间形成的 初始场强略高于sF。气体的临界击穿场强． 初始条件：初始时刻，￡=0时，靠近负极板处放置高斯分布的种子电子，其浓度峰值为1×106m～，中心 位于距离负极板轴向距离1mitt处，正、负离子初值为零，分布格式 N。(r，z)!。；。=0，N。(r，：)I。：。=0． 式中r和；表示径向和轴向坐标，坐标原点位于阴极板的中心位置，系统所处的环境温度和气体压强分别为 20℃和0．1MPa． 收稿日期：2012一01—13；修回日期：2012—05—28 基金项目：国家自然科学基金及黑龙江省教育厅科学技术研究项目(1251lz008)资助项目 作者简介：郑殿春(1956一)，男，博士，教授，研究方向为电介质失效诊断、极端条件下气(液)体放电现象 E—mail：zhengdianchun@126．com 万方数据 868 计 算 物 理 第29卷 通常情况下，种子电子在电场力的作用下逆着电场方向运动，并与 气体分子发生碰撞电离，产生电子和正负离子等带电粒子，导致放电间 隙中的电子数量急剧增加，形成所谓的电子崩．由于带电粒子具有不同 的运动速度，导致电子崩沿着外电场方向被拉伸，崩头积聚了大量电子， 致使气隙问隙的电场发生畸变，电子崩头部场强E