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52 C／C预制体孔隙率与气相硅浸渗制备C／SiC复合材料性能关系的模型研究 2013年3月 C／C预制体孔隙率与气相硅浸渗制备C／SiC复合材料性能关系的模型研究 刘 伟h，刘荣军2，曹英斌2，杨会永2 (I．西北核技术研究所，西安 710024；2．国防科学技术大学，长沙410073) 摘要：建立了C／C预制体孔隙率与C／SiC复合材料组成的关系模型，并通过表征不同孔隙率的C／C预制体气相硅浸渗 制备的C／SiC复合材料的组成和力学性能对模型进行了验证。研究发现，实验结果与模型预测结果基本一致。随着C／C预制 体孔隙率的增大，C／SiC复合材料的密度出现先上升后下降的规律，力学性能也遵从同样的规律。XRD分析和相含量测试结 果均表明复合材料的相含量与模型预测结果基本一致。实验结果与模型预测结果产生偏差的主要原因是裂解碳反应不完全。 关键词：C／C；C／SiC；孔隙率；模型；气相硅浸渗 中图分类号：，I．B332文献标识码：A 文章编号：1003—0999(2013)02—0052—05 ●—】上．——一 合材料性能之间的密切关系，本文首先通过理论计 1 日fj 舌 碳纤维复合材料具有很多优异的性能。其中 算建立了二者之间的关系模型。在此模型指导下以 C／SiC复合材料由于其低密度、高比强度和比模量、短切纤维碳毡为增强体，通过控制酚醛树脂浸渍一裂 抗热氧化性突出和耐高温等性能在空间结构、卫星 解(PIP)周期次数得到四种具有不同孔隙率的C／C 零部件、超高温热交换器、高性能制动系统等方面均 预制体，预制体通过GSI工艺制备C／SiC复合材料。 具有广泛的应用前景¨。J。 通过以上研究以期建立一个可靠的有关C／C预制 SiliconInfihra—体孑L隙率与气相硅浸渗制备C／SiC复合材料性能之 液／气相硅浸渗(Liquid／Gaseous 间关系的数学模型，明确在GSI过程中预制体孔隙 tion，L／GSI)工艺是目前低成本制备C／SiC复合材 料的主要方法之一。这种工艺主要包括两个步骤： 率对复合材料性能的影响规律，从而为制备高性能 第一，多孔C／C预制体的制备；第二，液／气相Si通低成本C／SiC复合材料优化出较好的预制体组成。 过预制体孔隙通道扩散与基体裂解碳反应得到c／ 2实验部分 2．1 SiC复合材料【8—01。复合材料的孔隙率对其性能有 C／SiC复合材料的组成设计 重要影响¨¨。武七德¨21发现预制体的密度(孔隙 GSI反应是一个很复杂的过程，为建立C／C预 率)对反应烧结SiC的最终物相组成有决定性影响，制体孔隙率和C／SiC复合材料组成和密度的关系模 根据其提出的理论模型，烧结密度应该与预制体密 型，首先对模型提出如下基本假定： 度成正比关系，但实际烧结密度却在预制体密度为 (1)由于碳纤维是复合材料中的增强体，若参 与si、C反应会严重影响所得复合材料的性能。因 0．889／cm3时达到最大值，预制体密度小于此值时 SiC的密度随预制体密度增大而增大，大于此值时 此假定C／C预制体中的碳纤维不与si反应，在此可 随预制体密度增大而减小。另外C／SiC复合材料主称之为惰性碳。 要由碳纤维、反应生成SiC、未反应完全的残余c和 残余si组成，研究也表明¨刘复合材料中残余c或 体积收缩或膨胀，将会严重影响复合材料的性能。 因此假定其致密无孔，反应前后体积恒定。 残余Si含量越高，C／SiC复合材料的力学性能越差。 因此要想制备出高性能的C／SiC复合材料，必须设 (3)反应过程中无c的挥发。即预制体与经 法降低复合材料中残余c