高压VDMOS器件的研制及其抗辐照特性研究.pdfVIP

第 13卷，第6期 电 子 与 封 装 总 第122期 VO1．13．NO．6 2013年6月 ELECTRONICS PACKAGING ⑧⑧⑧ ⑧⑧⑧ ⑧⑧ ⑧ -___I Cj 同压VDMOS器件的研制及其抗辐照特性研究 张立荣 (方正微电子有限公司，广东深圳518116) 摘 要：利用SILVACO工艺模拟软件和器件模拟软件 以及L．Edit版 图设计工具，我们对一款高压 VDMOS功率器件进行 了模拟仿真和优化设计。利用 自主开发的VDMOS工艺流程完成 了器件的实际 流片。测试结果表明，器件的源漏击穿电压达到600V以上，导通电阻小于2．5Q，跨导为4S，栅一源 泄漏电流约为~100nA，零栅 电压时的漏一源泄漏电流约为10 ，二极管正向压降约为1．2V。采用 二维器件模拟仿真工具以及相关物理模型对所研制的高压VDMOS器件的SEB和SEGR效应进行 了分 析，并通过对所研制的器件样片采用钴-601，射线源进行辐照实验，研究了在-二-定剂量率、不同总剂 量水平下辐照对所研制的高压VDMOS器件相关电学参数的影响。 关键词：高压VDMOS；功率器件；SEB；SEGR；辐照特性 中图分类号：TN306 文献标识码：A 文章编号：1681．1070(2013)06．0033—05 TheDesignandAnti-r·adiationResearchofN--ChannelHigh--voltage VDM oSDeviees ZHANG Lirong (FounderMicroelectronicsInternationalCo．，Ltd．，Shenzhen518116，China) Abstract：Withprocesssimulator(Athena)anddevicesimulator(Atlas)inSILVACOandL—Editlayout editor,wedesignedonetypeofN—channelVDMOswhoseBV．ss≥600 s(蚰 3V，RDs。【2．5Q，gfs= 4S， ss ~100nA， ss一10 A and S--一1．2V Utilizing2一D devicesimulationmethodandrelated simulationmodels．weanalyzedtheSEB andSEGR effectsofthedesignedN．chann elVDMOS．Through irradiatingthedevicesamplesusingCo．60vraysource，westudiedirradiationeffectsonsomeelectrical parametersofthedesignedN．channelVDMOSwithcertaindoserateanddifferentdoselevels． Keywords：HVDM 0S：powerdevice；SEB；SEGR：irradiationcharacteristic 能够承受太空中各种高能粒子、宇宙射线等的辐射 1 引言 所带来的影响。目前已知辐射环境对VDMOS器件可 能产生的辐照效应主要包括单粒子烧毁 (SEB)、单 VDMOS器件是一种垂直导电型的功率半导体器