C元素对N型a-Si：H薄膜微结构及电学特性的影响.pdfVIP

《半导体光 电}2009年 1O月第 3O卷第 5期 金 鑫 等： c元素对N型a—si：H薄膜微结构及 电学特性的影响 C元素对 N型 a-Si：H薄膜微结构及 电学特性的影响 金 鑫 ，李 伟 ●蒋亚东 ，廖乃镘 ，陈宇翔 陈德鹅 《电子科技大学 1．光 电信息学院；2．电子薄膜与集成器件国家重点实验室。 成都 6l0054) 摘 要 ： 采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)工艺，制备 了P—C二元复合掺杂氢化非 晶 硅 (a-Si：H)薄膜，研究了C元素对 N型a—Si：H 薄膜暗 电导率 ()及 电导激活能(E)的影响；利 用激光拉曼光谱研究了c元素对薄膜微结构的影响，讨论了P—C二元复合掺杂a—si：H薄膜电学 性能与微结构之间的相互影响关系。结果表明：随着 c掺杂量的增加 ，a-Si：H薄膜的短程有序度 降低 ，中程有序度基本保持不变，缺陷逐渐减少；一定程度的c掺杂可使N型a-Si：H薄膜电导激 活能降低而使薄膜的暗电导率升高，但过量的c掺杂使 N型a—si：H薄膜非晶网络结构有序度严 重恶化，电导率出现明显下降趋势。 关键词： PEcVD；氢化非晶硅薄膜 ；P-C复合掺杂 ；微结构 ；暗电导率 中图分类号 ：TN484．1 文献标识码 ：A 文章编号：1001—5868(2009)05—0715—04 InfluenceofCarbononM icrostructureandElectricalPropertiesofN—typea-Si：H Films JIN Xin ，LIWei。，JIANG Ya—dong。，LIAO Nai—man ，CHEN Yu—xiang ，CHEN De—e (1．SchoolofOptoelectronicInformation；2．StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevices， UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，CHN) Abstract： Hydrogenatedamorphoussilicon (a—Si：H)thinfilmsdopedwithPandC were depositedbyplasmaenhanced chemicalvapordeposition (PECVD)．Theinfluenceofcarbonon thedark conductivity．activation energy and mirostructureoftheP—dopeda—Si：H filmswas investigatedby meansofelectricalmeasurmentandRaman spectroscopy，and therelationship betweenelectricalpropertiesandmicrostructureofthefilmswasalsoanalyzed．Itisshownfrom Ramanspectrathatthedegreeofshort—rangeorderandthedefectsofthefilmsdecreaewith the increaseofcarbon doping，whilethedegreeofintermediate—rangeorderremainsunchanged．A smallamountofcarboncanreducetheactivationenergyandenhancethedark conductivityofthe P—dopeda—Si：H thin films． However，excessive carbon makes the structuralorder ofthe amouphousnetworkgetworsewhichleadstoadeclineofdarkconductivity． Keywords： PECVD； a—Si： H thin film； P—C compo—doping； microstructure； dark conductivity 0 引言