AZO薄膜用于GaN基LED透明电极的性能研究.pdfVIP

第 28 卷 第 6 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 28 No. 6 2013 年 6 月 Journal of Inorganic Materials Jun., 2013 文章编号: 1000-324X201306-0649-04 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.12482 AZO 薄膜用于 GaN 基 LED 透明电极的性能研究 1 1 1 2 2 1 陈 丹 , 吕建国 , 黄靖云 , 金豫浙 , 张昊翔 , 叶志镇 1. 浙江 大学 材料 科学 与工 程学 系, 硅 材 料 国 家 重点实验 室, 杭州 310027; 2. 杭 州 士 兰 明 芯科技有 限公 司, 杭州 310018 摘 要: 采用脉冲 激光沉 积法制 备了 Al 掺杂 ZnOAZO薄膜, 研 究了不 同沉积 氧压下 薄膜的 光电性 能。 当沉积压 强 为 0.1 Pa 时, AZO 薄膜 光电性能 昀优。 将该薄膜 用于 GaN 基 LED 透 明电极作 为电流 扩展层, 在 20 mA 正 向电流 下 观察 到了 520 nm 处 很 强的芯片 发光峰, 但芯 片工作 电压较 高, 约为 10 V, 芯片亮 度随正 向电流 的增大 而增强 。二 次 离子质 谱测试 表明, AZO 薄膜 与 GaN 层界 面处两 种材料 导电性 能的变 化以及 钝化层 的形成 是导致 芯片工 作电压 偏高的原因。 关 键 词: AZO 薄膜; GaN 基 LED; 透明电极; 脉冲激光沉积 中图分类号: O482; TN301 文献标识码: A Performances of GaN-based LEDs with AZO Films as Transparent Electrodes 1 1 1 2 2 1 CHEN Dan , L? Jian-Guo , HUANG Jing-Yun , JIN Yu-Zhe , ZHANG Hao-Xiang , YE Zhi-Zhen 1. State Key Laboratory of Silicon Materials, Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hang- zhou 310027, China; 2. Hangzhou Silan Azure Co., Ltd., Hangzhou 310018, China Abstract: Al-doped ZnO AZO thin films were prepared by pulsed laser deposition under different oxygen pres- sures. AZO films with highly transparent conductive properties were obtained at 0.1 Pa. AZO films were used on GaN-based light-emitting diodes LEDs as transparent contact layers. At a forward current of 20 mA, the 520 nm electroluminescence peak was evidently observed, with a high working voltage of 10 V. The brightness of the chip was enhanced as the forward current increased. Secondary ion mass spectra revealed that the high working voltage of the LED might be triggered by the change of material conductivity and the passivation layer formed at the AZO/GaN interfaceKey words: AZO thin films; GaN-based LEDs; transparent electrodes; pulsed laser deposition GaN 基半导体 器件在 照明 领域有 着广 泛的应 用, 替代 ITO 十分必要。 目前发 光二 极管LED 的 透明电 极主 要是掺 锡氧 化 Al 掺杂 ZnOAZO 透明 导电 膜具有 良好 的光学 铟ITO。但是 ITO 由于 In 资源 的短 缺, 导致 其价 和 电学性 能, 与 GaN 晶格 较匹