Ho掺杂对Bi4-xHoxTi3O12陶瓷结构与铁电性能的影响.pdfVIP

下载本文档

11
0
约2.66万字
约 5页
2017-09-13 发布于重庆
举报
版权申诉

Ho掺杂对Bi4-xHoxTi3O12陶瓷结构与铁电性能的影响.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

第 27 卷第 7 期无机材料学报 Vol. 27 No. 7 2012 年 7 月 Journal of Inorganic Materials Jul., 2012 文章编号: 1000-324X(2012)07-0721-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.11466 Ho 掺杂对 Bi Ho Ti O 陶瓷结构与铁电性能的影响 4-x x 3 12 王传彬, 傅力, 沈强, 张联盟 ( 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室, 武汉 430070) 摘要: 以Ho 为掺杂元素, 采用热压烧结方法制备 Bi Ho Ti O 陶瓷, 重点研究了 Ho 掺杂量对其物相组成、致密 4-x x 3 12 度、微观结构和铁电性能的影响. 首先以 Bi O 、TiO 和 Ho O 微粉为原料, 利用固相反应在 900 ℃合成出主晶相 2 3 2 2 3 为 Bi Ti O 的 Bi Ho Ti O (x=0~0.8)粉体; 然后, 将合成粉体在 850℃、30 MPa 条件下热压烧结, 当 Ho 掺杂量 4 3 12 4-x x 3 12 x=0~0.4 得到了物相单一、整体致密(99%) 的 Bi Ho Ti O 陶瓷. 随 Ho 掺杂量的增加, Bi Ho Ti O 陶瓷的剩余 4-x x 3 12 4-x x 3 12 极化强度呈现先增大后减小的趋势, 主要与氧空位浓度和不同掺杂浓度引起的掺杂位置的不同有关. 在 Ho 掺杂量 x=0.4 时, 其剩余极化强度最大(2P 2 =13.92 μC/cm ), 远大于未掺杂的 Bi Ti O 陶瓷, 说明适量 Ho 掺杂能有效改善 r