高压下SiO_2的第一性原理计算.pdfVIP

第 24卷 第 4期 高 压 物 理 学 报 Vo1．24，NO．4 2010年 8月 CHINESE JOURNAL OF HIGH PRESSUR『E PHYSICS Aug．，2010 文章编号 ：1000—5773(2010)04—0260—07 高压下SiO2的第一性原理计算 郝军华，吴志强，王 铮，金庆华，李宝会，丁大同 (南开大学物理科学学院，天津 300071) 摘要 ：基于密度泛 函理论 (DFT)的第一性原理，采用 Hartree—Fork(HF)方法，分别计算了 SiO 的 一石英结构、金红石结构 以及 氯化钙结构 的总能量 随体 积 的变化关 系。利用 Murnaghan状态方程，通过能量和体积拟合 ，得到了3种结构的体变模量及其对压强的一阶导 数。计算结果表 明，随着压强的增加，SiO 会从 一石英结构转变为金红石结构，与实验结果和 其它理论结果一致 ；金红石结构与氯化钙结构之 间不存在相变，可 以共存 。此外，对具有 a一石英结构 的SiO。的晶格常数、电子态密度和带隙随压强的变化关系进行 了计算和分析，结 果表 明：加压作用下，能带向高能方向移动，Si—O键缩短，电子数转移增加 ，带隙展宽，电荷发 生重新分布 。 关键词 ：第一性原理 ；相变；密度泛函理论；电子态密度 中图分类号：O521．2 文献标识码 ：A 1 引 言 二氧化硅 (SiO：)广泛存在于 自然界中，与其它矿物共同构成了岩石 。天然的 SiO 分为晶态和无定 形态两大类 ，常以石英、鳞石英和方石英 3种变体出现 。SiO：的用途很广 ，它是玻璃 、催化剂以及 以硅 为主的微 电子器件和光纤的重要原料 ，在电子和光学器件中有着基本和潜在的应用 ，一直以来受到科学 界 的广泛关注 。 由于SiO。在地球物理、材料科学、基础物理等方面有着广泛应用，因此其在高压下的特性成为人们 关注的焦点。Kingma等人_1曾报道当压强高于 50GPa时，SiO。会从金红石结构 (超石英)向氯化钙结 构转变 ，这引起了人们对高压下更致密的SiO。多形体研究的兴趣 。到 目前为止 ，SiO。的高压相行为还 存有争议。SiO 多形体a一方石英和 一石英分别在静压力和动压力下出现新相 ]。最近，理论和实验上 都发现了一些 比超石英更致密 的SiO。多形体结构 ，如空间群为 Pnc2的结构 、Fe。Nc型结构、 a—PbO。型结构 等 。在不同压力下，SiO 的哪种结构能稳定存在，哪种结构以亚稳态形式存在 ，哪种结 构可能与其它结构共存 ，迄今为止尚需进一步从理论和实验上证明。 本研究基于密度泛函理论 (DensityFunctionTheory，DFT)的第一性原理 ，采用 Hartree—Fork (HF)方法 ，计算 SiOz的a一石英结构 、金红石结构和氯化钙结构的总能量随体积的变化关系，以期获得 3种结构的物性和相变压强 。 2 计算方法 SiO 在常温常压下为 a一石英结构 ，空间群为 P321。不等价原子坐标分别为 Si：(“，0，0)，O： (z，Y，z)]。其结构由晶格常数a、c和内部坐标 “、z、Y、z完全确定 。 * 收稿 日期 ：2009—0623；修 回日期 ：2009—09—02 基金项 目：教育部南开大学 、天津大学两校共建项 目 作者简介 ：郝军华(1983一)，男，硕士研究生，主要从事材料的第一性原理计算研究．E-mail：nkNh~mail．nankai．edu。cn 第 4期 郝军华等 ：高压下 SiO 的第一性原理计算 金红石结构 (空间群为 P4 mnm)是 SiO。在高压下的一种多形体结构。该结构中每个 Si原子周 围有 6个最邻近 O原子 ，每个O原子周围有 3个最邻近 si原子，而在 一石英结构 中每个 si原子周围有 4个最邻近 。原子 ，每个 O原子周围有 2个最邻近 si原子 ，所 以金红石结构比a一石英结构更致密。最 近 ，Tsuchida等人 发现 SiO 在加压下会 由金红石结构转变为氯化钙结构 。氯化钙结构属于正交晶 系 ，空间群为Pnnm，每个单胞 中包含 2个