Si图形衬底的制备及半极性GaN生长.pdfVIP

华南师范大学学报 (自然科学版) 2010年 11月 JOURNALOFSOUTH CHINANORMALUNIVERSITY 2010年第4期 NOV．2010 (NATURALSCIENCEEDITION) No．4，2010 文章编号：1000—5463(2010)04—0060—40 Si图形衬底的制备及半极性 CaN生长 苏 军，李述体 ，尹以安，曹健兴 (华南师范大学光电子材料与技术研究所，广东广州 510631) 摘要：利用KOH溶液的各向异性腐蚀，通过研究温度、异丙醇 (IPA)及超声波振动对Si衬底腐蚀的影响，在Si(001) 平面衬底上刻蚀出侧面为(111)面的槽状图形衬底．在此基础上，实现了GaN在si图形衬底(111)侧面的生长．x射 线双晶衍射测量CaN薄膜的Bragg角为 18．45。，表明在si图形衬底上成功生长出了(1—101)半极性GaN薄膜．其x 射线衍射峰半高宽为 1556弧秒． 关键词：KOH溶液；各向异性腐蚀；异丙醇；超声波振动；半极性GaN；Si图形衬底 中图分类号：059 文献标志码：A CaN基半导体作为一种新的光电功能材料，以 廉价衬底上制备大尺寸高质量的非极性／半极性 其宽直接带隙、高稳定性、高热导率、高硬度等优 良 GaN基材料和器件提供了新途径．El前用于半极性／ 性质吸引了众多研究者的注意 1 ．它可广泛应用 非极性 CaN生长的 si图形衬底的腐蚀工艺尚无 于显示指示、固态照明、太阳能电池、固体激光器、紫 报道． 外探测器、以及各种微电子器件等领域．然而，GaN 本文对 Si表面图形衬底 的刻蚀及 Si图形衬底 薄膜通常是沿着其极性轴 C轴方向生长的，使得 上半极性GaN生长进行了研究．利用 KOH溶液的 CaN及其合金在 (0001)方向具有很强的自发极化 各向异性腐蚀对在Si(001)平面衬底上刻蚀出侧面 和压电极化 J．这种极化效应在氮化物外延层 中会 为(111)面的槽状图形衬底，并在刻蚀出的Si图形 产生较高强度的内建电场，引起能带弯曲、倾斜，使 衬底上实现了GaN的侧向外延生长，获得 了连续 电子和空穴在空间上分离，大大降低了材料的发光 的、表面相对平整的半极性GaN薄膜． 效率．避开极化效应的最根本方法是生长非极性面 的CaN基材料． 1 实验方法 目前，非极性／半极性GaN主要生长在蓝宝石、 碳化硅以及 si衬底上 ．相对于蓝宝石及碳化硅 1．1 实验 目的 衬底，si衬底具有低成本、工艺成熟、高导热性、可 利用KOH溶液的各向异性腐蚀对在 si(001) 制备大尺寸等特点，而且还可与现有 si集成电路兼 平面衬底上刻蚀出侧面为(111)面的槽状图形衬 容，具有广阔的应用前景．最近 ，日本的SAWAKI研 底，刻蚀图形及参数如图(1)所示．在 si图形衬底侧 究小组通过在Si(001)衬底表面制备图形，成功生 面 (1I1)面上选择外延生长半极性 CaN． 长出半极性(1—101)面 GaN薄膜-6J．随后，他们报 Si(111) 导了在Si(113)图形衬底上生长半极性 (11—22)面 ， 仁==] CaN薄膜，并研制出LED J．其生长方法为：在si衬 ，s474。 底上刻蚀出侧面为(111)面的图形衬底，并在侧面 图1 利