带隙电压基准源的设计与分析.pdfVIP

畏a叶技2012年第25卷第5期 ElectronicSci．＆Tech．／May．15．2012 带隙电压基准源的设计与分析 、 赵 强，吕 明，张 鉴 (合肥工业大学 电子科学与应用物理学院，安徽 合肥 230009) 摘 要 介绍了基准源的发展和基本工作原理以及 目前较常用的带隙基准源电路结构。设计了一种基于Banba结 构的基准源电路，重点对 自启动电路及放大电路部分进行了分析，得到并分析了输出电压与温度的关系。文中对带隙 电压基准源的设计与分析，可以为电压基准源相关的设计人 员提供参考。可以为串联型稳压电路、A／D和D／A转化 器提供基准电压 ，也是大多数传感器的稳压供 电电源或激励源。 关键词 基准源；Banba结构；带隙基准源；输出电压 中图分类号 TN432 文献标识码 A 文章编号 1007—7820(2012)05—001—03 DesignandAnalysisoftheBand-gapVoltageReferenceSource ZHAOQiang，LtiMing，ZHANGJian (SchoolofElectronicScienceandAppliedPhysics，HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China) Abstract Thedevelopmentandbasicworkingtheoryofreferencesourceareintroduced．Thebandgapcircuit structure，which isauniversalvoltagereferencesourceform，isdiscussedindetail．A circuitofbandgapbasedon Banbasturctureisdesigned，andtherelationshipbetween outputvoltageandtemperatureisanalyzed．Thedesign canprovidereferencevoltageofrserialvoltageregulatorcircuitsandA／D ＆ D／A convertersandserveasthestable voltagepowersupplyordrivingsoureeofmostsensors． Keywords referencesource；Banba；bandgap；outputvoltage 基准源广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信 1971年，Widlar首次提出带隙基准结构 J。它利 号集成电路和系统集成芯片中，其精度和稳定性直接决 用 的正温度系数和 △ 的负温度系数特性，两者 定整个系统的精度。在模／数转换器(ADC)、数／模转换 相加可得零温度系数。相比齐纳基准源，Widlar型带 器(DAC)、动态存储器(DRAM)等集成电路设计中，低温 隙基准源具有更低的输出电压，更小的噪声，更好的稳 度系数、高电源抑制比(PSRR)的基准源设计十分关键。 定性 。接下来的1973年和 1974年，Kuiik和Brokaw 在集成电路工艺发展早期，基准源主要采用齐纳基 分别提出了改进带隙基准结构 。新的结构中将运算放 准源实现，如图1(a)所示。它利用了齐纳二极管被反 向 大器用于电压钳位，提高了基准输出电压的精度_3J。 击穿时两端的电压。由于半导体表面的沾污等封装原 以上经典结构奠定了带隙基准理论的基础。文中 因，齐纳二极管噪声严重且不稳定。之后人们把齐纳结 介绍带隙基准源的基本原理及其基本结构，设计了一 移动到表面以下，支撑掩埋型齐纳基准源，噪声和稳定性 种基于Banba结构的带隙基准源，相对于Banba结构， 有较大改观，如图1(b)所示。其缺点：首先齐纳二极管 增加了自启动电路模块及放大电路模块，使其可以自