碳纳米管填充聚偏氟乙烯复合材料介电性能的研究.pdfVIP

碳纳米管填充聚偏氟乙烯复合材料介电性能的研究.pdf

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272 上海第二工业大学学报 2012年 第 29卷 材料结晶行为、热性能的影响,发现 PVDF的极性相质量分数得到了提高。在制备过程中采用磁场辅助定 向,有助于Ni—MWNTs在聚合物基体中均匀分散 ,并且Ni—MWNTs作为电极在复合材料中主要以平行方式 排列,联接形成微电容器 (超 电容网络),有助于获得高介电常数、综合性能优异的高储能密度介质材料。 1 实验部分 1.1实验原料 镍包覆多壁碳纳米管(Ni.MWNTs):购于成都爱法纳米技术有限公司,直径30nln~50rim,长度5 】~10pm。 聚偏氟乙烯(PVDF):购于上海三爱富材料有限公司。N,N二甲基 乙酰胺(DMAc):化学纯,购于国药集团化 学试剂有限公司。 I.2 样品制备 将一定量的Ni—MWNTs加入 DMAc中,室温下用超声仪超声 2.5h~4h。将一定量的PVDF粉末溶于 DMAc溶液,搅拌 1h~3h,使其完全溶解。将溶有 Ni.MWNTs的DMAc悬浮液缓慢加入到 PVDF溶液 中, Ni—MWNTs与PVDF的质量比为 0:100、1:99、2:98、4:96、8:92、10:90,搅拌均匀后将溶液倒入洗净烘干的 培养皿,于一定强度磁场下,置于 80℃干燥 12h后得到NiMWNTs/PVDF复合薄膜。将制得的干燥膜折叠, 用模具在粉末压片机上压制成直径约 121Illi1、厚约 lrnlTl的片材,压力控制在 15MPa,180℃~190℃下保温 10min。 1.3 表征 采用 日本HITACHI公司S-4800扫描电子显微镜 (SEM)(加速 电压 10kV)对样品的表观形貌和成分 进行表征和分析。傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析在德国布鲁克 V-70上完成。介 电性能采用 Novocontrol 宽频介电谱仪进行测试,频率为 1000Hz~1MHz。 2 结果与讨论 2.1样品形貌及微结构分析 图 1显示 了含有Ni—MWNTs的PVDF基复合材料的脆断断面的SEM 照片。从 图 1中可以观察到,复合 材料 中碳纳米管基本按照一定方 向排列 (垂直于图片方 向)。绝大多数的Ni—MWNTs与PVDF基体间结合紧 密,即使在脆断后仍然嵌埋在基体中,与填料两相间的界面较模糊,只有少量碳管有小段被拔出,但根部 仍然嵌埋在基体中,无脱落迹象。Ni—MWNTs高的界面能易引起PVDF结晶相的变化。PVDF分子链段上的 氟原子电子云密度较大,易与MWNTs的大71;键相互作用,从而导致PVDF分子链段中全反式的B相的形成, 这一点对于提高复合材料介 电性、压 电性和铁 电性能是非常有利的。此外,由于磁场的作用,碳纳米管在 复合材料 中尽可能地平行取 向,可以减少碳纳米管的交错接触 。取向后由碳纳米管作为电极,在复合材料 中形成主要 以并联方式连接的微 电容器,从而有望获得高性能的复合材料。 图1含Ni—MWNTs质量分数为4%的复合薄膜的断面扫描照片 Fig.1Freezefracturedsurfacemorphologyofcompositewith4% NiMWNTs 第4期 杨丹丹,徐海萍,吴益华,王静荣,施 雯:碳纳米管填充聚偏氟乙烯复合材料介电性能的研究 273 2.2 FTIR图谱分析 在 PVDF的各种晶体中,0相【的红外特征吸收带主要出现在 530cm~,612cm~,763cm~,796cm~, 855cm一,876cm~,978cm 处;B相的特征吸收峰为445cm~,510cm。(CF2弯 曲振动),840cm。(CF2不 对称拉伸振动)和 1403cm (CH2的摇摆振动)及 878cm (CF2对称拉伸振动),840cm。和 878cm0双峰是 PVDF的TT(反式)结构的特征吸收峰 1【。从图2可 以看 出,Ni—MWNTs/PVDF系列样品出现了几乎所有的B 相结晶吸收峰,而代表0相【的结晶吸收峰都很弱或几乎没有,说明结晶主要以B相存在。而且随着Ni.MWNTs 质量分数增多,Oc相特征吸收峰明显减弱,在 763cm~,978cm 处几乎完全消失,而B相的特征吸收峰840cm~, 1403cm 仍然存在 ,但稍有减弱 (见图 2曲线 2和 曲线 3中13(840cm )、B(1403cm。)处)。这也证明了 Ni—MWNTs的加入有利于生成B相晶体。

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