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维普资讯 第29卷 第3期 发 光 学 报 V01．29 No．3 2008年6月 CHINESE JOURNALOF LUMINESCENCE Jun．，2008 文章编号：1000-7032(2008)0343499-04 衬底类型对于Ga—N共掺杂 ZnMgO薄膜性能的影响 叶 康，叶志镇 ，胡少华，赵炳辉，何海平，朱丽萍 (浙江大学 硅材料国家重点实验室 ，浙江 杭州 31O027) 摘要：利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-(111Si、氧化硅(SiO：／Si)、石英衬底上制得 Ga．N共掺杂 ZnMgO薄膜。利用x射线衍射 (XRD)、Hall实验、场发射扫描 电镜 (FE-SEM)和x射线光电子能谱 (xPs)对 不同衬底上生长的ZnMgO薄膜的性能进行表征。结果表明，Ga-N共掺杂P型ZnMgO薄膜具有高度c轴择优 取向的结构特征。生长在玻璃、(111)si和氧化硅衬底上的ZnMgO薄膜显示P型导电性 ，而生长在石英衬底 上的ZnMgO薄膜显示 n型导电性。生长在氧化硅片衬底上的共掺杂ZnMgO薄膜的晶体质量和电学性能最 优，载流子浓度为2．28×10”cm～，电阻率为27．7Q ·cm。而且其表面形貌明显不同于生长在其他衬底上的 薄膜。Ga2p和Nls的xPs谱表明Ga-N共掺杂ZnMsO薄膜中存在Ga—N键，有利于N的掺人，从而易于实 现P型生长。 关 键 词：ZnMgO薄膜；Ga-N共掺杂；磁控溅射；衬底 中图分类号：0472．4 PACC：7280E；8115C 文献标识码 ：A 1 引 言 2 实 验 ZnO是一种 Ⅱ一Ⅵ族宽禁带化合物半导体材 ZnMgO薄膜由直流反应磁控溅射技术制备。 料，禁带宽度为3．37eV。室温下ZnO的激子束 反应室本底真空为10 Pa，通人Ar气和N：O气， 缚能为60meV，高于GaN、ZnSe等宽禁带半导体 生长压力为6Pa。其中NO既为N源又为O源。 材料，是实现紫外光电器件、发光二极管以及激光 靶材为掺入 Ga(99．99％)和 Mg(99．99％)的 器的理想材料 卫J。在ZnO薄膜中掺入Mg可以 Zn(99．99％)的锌片。薄膜分别生长在玻璃、 增大薄膜的禁带宽度 3【J，通过调节ZnO薄膜中 n一(111)Si片、氧化硅片 (SiO2／Si)、石英片衬底 Mg的含量可以调节禁带宽度 J，实现 ZnO材 上。所有薄膜在72W(180VX0．4A)的功率下 料的能带工程。而且Mg的掺入不会对 ZnO薄膜 生长30rain。衬底温度保持在540℃。其中氧化 的晶格常数发生较大变化 J。因此ZnMgO是制 硅片是把硅片在氧化炉中湿氧化4h得到的。 造半导体光电器件中的异质结的最具潜力的材料 znMg0薄膜 的结构特性 由x射线衍射仪 之一。而ZnMgO的P型掺杂，与ZnO一样，十分 (PhilipxP’ert)测得。BIO—RADHL5500PC霍尔 困难。目前报道中，ZnMgO薄膜的P型掺杂的研 测试仪用于测试ZnMgO薄膜的电学性能。Ga和 究还 比较少，成功获得 P型ZnMgO合金主要是通 N的化学态由光电子能谱(XPS)(ThermoESCAL- 过P掺杂 、sb掺杂 、A1．N共掺杂 “]。 AB250)测定。不同衬底上生长的薄膜的表面形 本文采用直流反应磁控溅射技术在不同衬底 貌 由场发射扫描电镜 (FEISirion200rEG)观察 上制备了Ga—N共掺杂ZnMgO薄膜 ，在玻璃、硅和 得到。 氧化硅衬底上实现了Ga—N共掺杂P型ZnMgO薄