AM-OLED的像素电路集锦（二）.pdfVIP

应根裕 ：AM—OLED的像素 电路集锦 (二) 文章编号：1006—6268(2011)06—0011-09 AM—OLED的像素电路集锦(二) 应根裕 (清华大学电子工程系。北京 100084) 摘 要：用于AM-OLED的LTPSTFTs的阈值电压( )和沟道迁移率()在空间分布上是不够均 匀的，用于AM-OLED 的a-SiTFTs的 和 会随时间偏移 ，这些缺点会造成显示屏亮度的不均 匀性和不稳定性。为此，需要 引入各种像素补偿电路，使显示屏发光亮度的均匀性和稳定性符合商品 要求(文章分为两期刊登，本篇为第二部分)。 关键词：有源矩阵有机发光二极管显示器；低温多晶硅 ；非晶硅 ；薄膜晶体管；像素电路 中图分类号 ：TN949．199 文献标识码：B ACollectionofthePixelCircuitUsedinAM-OLEDDisplay(II) YING Gen-yu (DepartmentofElectronicEngineeringTsinghuaUniversity，Beijing100084，China) Abstract：Theun．formityofthethreshold ( andelectronmobility ()ofLTPSTFTsusedin AM-OLED isnotgoodenough．The and肛 ofa-SiTFTsusedinAM—OLED shifttimeto time．Thiscausesthenon—unifOrmitvandnon—stabilityofthebrightnessinpane1．Tosolvethis issue，itis necessa~ to introduce differentpixelcompensation circuit，then making the un．fOmnityandstabilityofthebrightnessinpaneItomeetcommercialdemands． Keywords： active matrix organic Iight emitting diode A(M—OLED)：lOW temperature polycrystallinesilicon(LTPS)；amorphoussilicon(a—Si)：thinfiIm transistor(TFT)：pixeIcircuit 3 近年来开发的各种显示补偿 电路 加 。另一方面 ， 升高又会加速 a—Si：HTFT的退 化。如果在每行显示 (即 读入 )之前 ，在该行每 3。1 高稳定度的采用 储存和负偏压 “退 个控制 0LED的a—Si：HTFT的栅极上预存一个该 管的 ，这样便可消除各处 a—Si：HTFT退化不均匀 火的用于大面积 AM—OLED的a—Si：HTFT 的影响。正偏压会引起 a—Si：HTFT的 升高 ，而负 像素电路 ， 偏压会引起 a—Si：HTFT的 下降，所 以在显示周 a—Si：HTFT不稳定 ，在工作过程 中 会逐渐 期中分出一部分时间对 a—Si：HTFT施加负偏压，便 升高，并且各像素中a—Si：HTFT的 逐渐升高的 可 以大大降低 a—Si：HTFT的退化速度。相应的像素 趋势也不一致 ，这就造成了屏面上不均匀性的增 结构和驱动信号 的波形如 图21所示。 收稿日期：20儿一04—01 Jll