分布式源场极板结构射频LDMOS器件的设计.pdfVIP

己口J口年 Ij月 第己g卷 第 1I期 场极板结构射频 LDMOS器件的设计 陈文兰 (东南大学苏州研究院高频高功率器件 与集成技术研 究中心 苏州 215123) 摘 要 ：为了减小射频 LDMOS器件中场极板寄生 电容，提出一种具有分布式源场极板结构的射频 LDMOs器件 ，给出了器件结 构及工艺流程 。借助微波 EDA软件 AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计 。仿真及测试结果表 明，所设计的分布式源 场极板结构在不影响器件击穿电压的条件下，能有效减小 LDMOS器件寄生 电容，提升器件增益、效率及线性度等射频性能。 关键词 ：射频 LDMOS；场极板 ；寄生电容；射频性能 中图分类号 ：TN386 文献标识码 ：A DesignofRF LDM OSwithdistributedsourcefieldplate ChenW enlan (HighFrequency HighPowerDeviceandIntegratedTechnologyResearchCenter， ResearchInstituteofSoutheastUniversityatSuzhou，Suzhou215123，China) Abstract：A novelRFLDM OSdevicewithdistributedsourcefieldplateisproposedtominishtheparasiticcapacitancesof thefieldplate．Thestructureandprocessflow arepresented．ThefieldplatestructureisoptimizedusingtheEDA soft— wareAWR．Thesimulationandtestresultsindicatethat，withthisdesign，theparasiticcapacitancesoftheLDMOSde— vicearereduced，theRFperformanceasthegain，efficieneyandlinearityareimproved． Keywords：RF LDM OS；fieldplate；parasiticcapacitance；RF performance 的DFPLDMOS器件以传统 LDMOS器件结构为基本框 0 引 言 架 ，并应用了分布式金属源场极板技术。 由于具有高功率增益 、高效率及低成本等优点，射频 LDM0S(1ateraldiffusedmetaloxidesemiconductortran— sistor)器件被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领 域。为了提高LDMOS击穿电压 ，增大输出功率 ，采用 了 各种各样 的改进结构 ，如 SUPERJUNCTION_】、漂移 区 变掺杂 、RESURF。和表面形成 p降场层技术啪等，其 中最为常用且简单有效的工艺方法就是在漂移 区上部使 用金属场极板 (fieldplate，FP) 。场极板 电容作为 LD 图1 射频 LDMOS器件剖面图 MOS器件寄生 电容的主要组成部分 ，是决定器件功率 增益及截止频率的一个重要因素。 器件工艺流程如下 (按顺序列出主要工艺步骤)： 为了解 决常规金属场极板结构 LDMOS(CFPLD— (1)备片：p+衬底 ，掺杂浓度 5×10”cm～； MOS)器件寄生 电容大的缺点，本文提 出分布式金属源场 (2)外延生长：p一外延片，晶向100，掺杂浓度： 极板结构 LDMOS器件 (DFP—LDMOS)。分布式源场极