化学机械抛光压力控制技术研究.pdfVIP

- 电 子 工 业 毫 用 设 备 · 半导体制造与设备 · 化学机械抛光压力控制技术研究 刘 涛，高慧莹，张领强，陈学森 (中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京 101601) 摘 要 ：概述 了化学机械抛光技术 的发展现状 ，讨论分析 了主要工艺参数对抛光机理的影响。重 点论述 了化学机械抛光工艺中不 同压力控制方法及其技术特 点，提 出了一种新的压力控制方案 ， 并通过 实验验证 了该控制技术 的先进性 。 关键词 ：化学机械抛光；抛光机理；压力控制 中图分类号 ：TN305．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004-4507(2010)09-0009-05 ThepressurecontrolstudyintheChemicalmechanical Polishingprocess LIU Tao，GAO Huiying，ZHANG Lingqiang，CHEN Xuesen (The45thResearchInstituteofCETC，Beijing101601，China) Abstract：ThisarticleintroducesthedevelopmentstateandtheprincipleoftheChemicalmechanical Polishing (CMP)，analysesthemaineffectoftheprocessparametersfortheCMP．Especiallytellsthe new controlmethodanditscharacteristicsforthepressurecontrolandalsoteststheadvancedcontrol methodismeetingofrtheCMPrequirements． Keywords：ChemicalmechanicalPolishing(CMP)；Principle；pressurecontrol ChemicalmechanicalPolishing，化学机械抛光， 化膜平坦化工艺中。现在 CMP技术的研究应用 己 简称 CMP，是一种应用抛光液的化学腐蚀作用和 扩展到全球范 围，加工领域也从集成 电路材料 的研 磨料的机械去除作用相结合 的抛光方法 ，即采用化 究、制造拓展到多种硬脆性材料的超精密加工，对 学和机械方法使材料 的加工表面达到纳米级的超 于以SiC、a-A1：O 为代表 的硬度高、化学性质稳定 光滑表面和平整度要求。 的晶体材料，目前CMP工艺是获得材料表面纳米 CMP技术的推广应用起源于 20世纪 40年 级超精密加工唯一的技术途径 。 代 ，美国最早将 CMP工艺技术引入其半导体芯片 我 国在 CMP工艺技术的研究应用方面起步较 工艺生产线，随后，日本于 1995年也开始将 CMP 晚，与国外的差距较大 ，进入 21世纪后 ，在 国家相 工艺引入其 150～200mm 晶圆、0．5ixm工艺线的氧 关政策的支持下，CMP关键技术研究工作取得 了 收稿 日期 ：2010．08—11 基金项 目：国家 863项 目(200956KY021 电 子 工 业 专 用 设 备 ● · 半导体制造与设备 · 一 些成绩，特别是在 “十一五 ”期 间，我 国在硬脆性 表 1影响抛光效果的主要工艺参数列表 材料表面纳米级抛光工艺技术研究方面取得了突 A：抛光液 B：抛光垫 C：过程参数 D：晶片 破性进展 ，并在蓝宝石衬底产业 、宽禁带半导体制 PH值