非晶硅碳(a2SiCH)薄膜光学常数的透射谱表征.pdfVIP

第 26 卷 　第 1 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 1 2005 年 1 月 　　 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 　　J an . ,2005 非晶硅碳( aSiC ∶H) 薄膜光学 常数的透射谱表征 胡志华1 ,2 　廖显伯1 ( 1 中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心 表面物理国家重点实验室 , 北京 　100083) (2 云南师范大学太阳能研究所 , 昆明　650092) 摘要 : 报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度 、折射率 、吸收系数和光学带隙等光学常数的方 法和程序. 这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系 ,所有公式均为解析表达式 ,便于进行数据处理 , 无须专用软件 ,使用 Excel 即可完成 ,适用于多种半导体薄膜材料. 将这种方法应用于 PECVD 方法制备的非晶硅碳 ( ) aSiC ∶H 薄膜 ,对其光学特性进行了分析. 关键词 : 光学常数 ; 透射谱 ; 非晶硅碳薄膜 PACC : 7865M ; 4230N ; 4210J + ( ) 中图分类号 : TN3042 4 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 2005 将这一具有明确物理意义的函数关系应用于数值拟 1 　引言 合 ,从长波区外推到接近带边吸收的短波区 ,从而用 Tauc 图确定光学带隙. ( ) 氢化非晶硅碳 aSiC ∶H 合金是一种带隙可调 节 、机械强度和化学稳定性好的新型功能材料. 因其 2 　光学模型 在大面积电子器件中具有潜在应用价值 ,这种材料 的研究受到广泛重视[ 1～5 ] . 用于透射谱测量的样品是沉积在 7059 透明玻 在器件应用中 ,关键是需要知道 aSiC ∶H 的光 璃上的薄膜, 如图 1 所示. 设薄膜厚度为 d ; 复数折 学常数和光学带隙. Swanepoel[6 ,7 ] 曾经报道过用透射 射率为 n = n - i k , 其中 n 为实数折射率, k 为消光 α πκλ ( ) 系数, 薄膜的吸收系数表示为 = 4 / . 透明玻璃 谱数据确定氢化非晶硅 aSi ∶H 薄膜厚度和吸收系 数的数学方法. 但 Swanepoel 所用的折射率色散关系 衬底的厚度远远大于薄膜厚度, 衬底玻璃的折射率 n ( λ) 在物理上是没有意义的函数.