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第 18 卷 第 3 期 应用化学 V o l. 18 N o. 3
2001 年 3 月 CH IN ESE JOU RNAL O F A PPL IED CH EM ISTR Y M ar. 2001
氮化铝薄膜的组成分析
a , b a a a b
许小红 武海顺 张富强 张聪杰 金志浩
(a 山西师范大学化学系 临汾 041004; b 西安交通大学材料科学与工程学院 西安)
关键词 氮化铝薄膜, 组成, X 射线光电子能谱
中图分类号: O 653; TB 43 文献标识码:A 文章编号:(2001)
是一种无机非铁性压电材料, 具有宽的 11, 膜层中 的原子浓度低于 5% , 达到表声波
A lN O
带隙、高的电阻率、高的抗击穿电压、高的声传播 器件对A lN 薄膜组成的要求.
速率和低的传输损耗, 在微电子器件中有着广泛 采用 型 射线光电子能
M ICROLABM K X
[ 1 ] - 7
的应用前景 . 由于A lN 薄膜的声速在整个无机 谱仪, 电子能谱仪分析室真空度为 5 ×10 Pa ,
非铁性材料中最高, 因而成为 级声表面波器 射线光源为 , 能量 = 1253 6 . 为了
GH z X M gK h eV
[ 2 ]
件的首选材料 . 要实现A lN 薄膜的表面声波器 消除荷电效应, 对每个 XPS 图谱用C 1s 外标法进
[ 1 ] [ 3 ] [ 7 ] +
件应用, 不但结构重要 , 组成也很重要 , 因为 行谱线能量校正 . 采用 A r 离子枪在 1 ×
薄膜的组成对其性质影响很大. A lN 压电薄膜要 - 4
10 Pa 的A r 气氛下, 以剥蚀电压为 3
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