铜CMP中SiO2抛光液的凝胶及其消除实验木.pdfVIP

维普资讯 蔹 Tedm o。 g 铜CMP中SiO2抛光液的凝胶及其消除实验木 王新，刘玉岭，康志龙 (河北工业大学，天津 300130) 摘要：SiO，在不同的pH值抛光液中容易产生凝胶现象而使抛光液失效。通过控制实验时抛光液的pH 值及加入适量的添加剂而使 SiO，抛光液的凝胶 问题得到解决。结果表 明，当SiO，抛光液pH≤8时，产生 凝胶；当SiO 抛光液pH ≥9时，在抛光液中加入适量的活性剂和螯合剂 ，消除了Si0，凝胶现象，得到 较好 的抛光结果 。 关键词 ：铜 CMP；SiO，；凝胶 ；消除 中图分类号 ：TN305．2 文献标识码：A 文章编号：1003—353X(2003)01—0063—03 GelatinofSiO2slurryanditseliminationinCuCMP WANGXin，LIU Yu—ling，KANGZhi—long (HebeiUniversityofTechnology，Tianjin300130，China) Abstract：SiO，isgelledeasierinslurryofdifferentpH value，SOthatslurryisabated．Inthe experiment，thepH valueoftheslurrywhichcontainedalimitedadditiveiscontrolled，theproblem of theSiO2gelatinisresolved．ItshowsthatcolloidalsilicaisgelledwhenpH oftheslurryequalstoor lowerthan8，andwhenitequalstoorhigherthan9，aswellasalimitedsurfactantandchelatingwere addedintotheslurry，thegelatinofSiO2waseliminated．TheexperimentshowsthattheresultofCu CM Pisbetterbyusingtheslurry． Keywords： CuCMP；SiO，；gelatin；limit 要求开发新型磨料及抛光液以利于金属铜表面的平 1 引言 坦 化 。 CuCMP包括化学和机械两种作用从而达到去除 本研究制备的抛光液采用 si0 溶胶为磨料 ， 和平坦 。在 CuCMP过程中，抛光液是影响全面 SiO，较AI，O软 ，分散性及悬浮性好，不容易造成 平坦化的关键因素 【】·。据报道 ，目前 国际上开发的 表面刮伤，且SiO，化学性质较AI，O 活泼，因而后 铜抛光液均为酸性抛光液 ，磨料使用AI，O 。这是 清洗过程处理废液较容易，在抛光液中加入界面活 因为铜在酸性溶液中腐蚀速率高，AI，O 颗粒在pH 性剂和螯合剂可抑制金属离子对芯片的污染和表面 值等于4左右的抛光液中分散性最好，对铜的去除 颗粒 的吸附，因而使抛光表面平滑光亮 。 速率高。但该类抛光液在开发过程中，也遇到了许 硅溶胶作为Cu．CMP磨料使用 ，文献报道较