应用于DRAM高性能钛酸锶钡薄膜制备研究莫尚军张继华.pdfVIP

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１０３７ 应用于 的高性能钛酸锶钡薄膜的制备研究 ＤＲＡＭ 莫尚军，张继华 （电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都， ） ６１００５４ 摘要：用自主研发的射频磁控溅射设备在 基片上制备了用于动态随机存储器 ＬａＡｌＯ３ （ ）的钛酸锶钡（ ）薄膜，采用 和 对薄膜的微结构进行了分析，用 测试 ＤＲＡＭ ＢＳＴ ＡＦＭ ＸＲＤ ＬＣＲ 。 ， 仪测试了薄膜的介电性能结果显示 退火 的 薄膜结晶性能良好薄膜均方根表 ８００ ℃ ３０ ｍｉｎ ＢＳＴ 面粗糙度小于 ， 下介电常数为 介电损耗为， 。 偏压下漏电流密度为， ４５ ｎｍ １ＭＨｚ ７１３ ０００７ １０ Ｖ －７ ２ １×１０ Ａ／ ｃｍ 。 关键词 钛酸锶钡射频磁控溅射介电性能 ： ； ； ； ＤＲＡＭ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）增刊 ＴＭ２８１２ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ０１３２０３ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｓｔｕｄｙ ｏｎ ＢＳＴ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ ｆｏｒ ＤＲＡＭ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ， Ｍｏ Ｓｈａｎｇｊｕｎ Ｚｈａｎｇ Ｊｉｈｕａ （Ｓｔａｔｅ Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ ａｎｄ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ， ， ， ） Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ Ｃｈｉｎａ Ｃｈｅｎｇｄｕ ６１００５４ Ｃｈｉｎａ ： （ ） Ａｂｓｔｒａｃｔ ＢＳＴ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｕｓｅｄｆｏｒ ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎｄｏｍａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ ＤＲＡＭ ｗａｓｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ ｕｓｉｎｇ ＲＦ ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｃｏａｔｅｒｓｗｈｉｃｈ ｉｓｄｅｓｉｇｎｅｄｂｙ ｏｕｒｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｎ ＬａＡｌＯ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ． Ｔｈｅｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ３ ｏｆ ｔｈｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅｔｅｓｔｅｄ ｗｉｔｈ ＬＣＲ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ ａｎｄ ｅｖａｌｕａｔｅｄ ｉｔｓ ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｗｉｔｈ ａｔｏｍｉｃｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ （ ） （ ） ＡＦＭ ａｎｄ Ｘｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｓｐｅ