MgZnSiOx）陶瓷微波介电性能研究JournalofInorganic.pdfVIP

第 2 5 卷 第 3 期 V o l . 2 5 , N o . 3 无 机 材 料 学 报 J o u r n a l o f I n o r g a n i c M a t e r i a l s 2 0 1 0 年 3 月 M a r . , 2 0 1 0 文 章 编 号 : 1 0 0 0 ? 3 2 4 X ( 2 0 1 0 ) 0 3 ? 0 2 5 5 ? 0 4 D O I : 1 0 . 3 7 2 4 / S P . J . 1 0 7 7 . 2 0 1 0 . 0 0 2 5 5 ( M g Z n ) S i O ( 0 ≤ x ≤ 1 ) 陶 瓷 微 波 介 电 性 能 研 究 1 - x x 2 4 宋 开 新 , 应 智 花 , 邵 李 焕 , 郑 梁 , 徐 军 明 , 秦 会 斌 ( 杭 州 电 子 科 技 大 学 电 子 信 息 学 院 电 子 材 料 与 器 件 实 验 室 , 杭 州 3 1 0 0 1 8 ) 摘 要 : 采 用 固 相 反 应 法 制 备 ( M g Z n ) S i O ( 0 x 1 ) 微 波 介 质 陶 瓷 , 研 究 ( M g Z n ) S i O 陶 瓷 在 0 x 1 范 围 内 ≤ ≤ ≤ ≤ 1 - x x 2 4 1 - x x 2 4 的 相 演 变 、 微 结 构 与 其 微 波 介 电 性 能 间 相 互 关 系 . X R D 测 试 结 果 表 明 : 橄 榄 石 结 构 的 M g S i O 与 硅 矽 矿 结 构 的 Z n S i O 2 4 2 4 在 晶 体 结 构 上 存 在 很 大 差 别 , ( M g , Z n ) S i O 在 0 x 1 范 围 内 只 能 部 分 地 实 现 有 限 固 溶 . 背 散 射 电 子 扫 描 显 微 镜 ≤ ≤ 2 4 ( B E S E M ) 测 试 结 果 显 示 : 随 着 x 的 增 加 , M g S i O 第 二 相 得 到 抑 制 ; 陶 瓷 出 现 液 相 烧 结 , 促 进 晶 粒 生 长 与 玻 璃 相 在 晶 界 3 2 + 2 + 处 沉 积 . 微 波 介 电 性 能 测 试 结 果 表 明 : 由 于 Z n 离 子 极 化 能 力 大 于 M g 离 子 , ( M g Z n ) S i O ( 0 x 1 ) 陶 瓷 介 电 ≤ ≤ 1 - x x 2 4 常 数 随 x 值 增 加 而 增 大 ; 0 ≤ x ≤ 1 范 围 内 , M g S i O 陶 瓷 微 波 性 能 由 于 第 二 相 、 气 孔 率 增 加 与 晶 粒 增 大 而 降 低 , Z n S i O 2 4 2 4 陶 瓷 由 于 微 结 构 得 到 改 善 , 陶 瓷 微 波 性 能 得 到 优 化 . 当 x = 0 . 6 时 , 得 到 较 好 的 ( M g Z n ) S i O 陶 瓷 微 波 性 能 为 : 0 . 4 0 . 6 2 4 - 6 = 6 . 6 , Q f = 9 5 6 5 0 G H z , = - 6 0 × 1 0 / ℃ . ε τ r f 关 键 词 : ( M g Z n ) S i O ; 陶 瓷 ; 微 波 性 能 1 - x x 2 4 中 图 分 类 号 : T M 2 2 1 文 献 标 识 码 : A I n v e s t i g a t i o n o f M i c r o w a v e D i e l e c t r i c P r o p e r t i e s o f ( M g Z n ) S i O ( 0 x 1 ) C e r a m i c s ≤ ≤ 1 - x x 2 4 S O N G K a i ? X i n , Y I N G Z h i ? H u a , S H A O L i ? H u a n , Z H E N G L i a n g , X U J u n ? M i n g , Q I N H u i ? B i n ( C o l l e g e o f E l e c t r o n i c I n f o r m a t i o n a n d E n g i n e e r i n g , H a n g z h o u D i a n z i U n i v e r s i t y , H a n g z h o u 3 1 0 0 1 8 , C h i n a ) A b s t r a c t : T h e p h a s e e v o l u t i o n s , m i c r o s