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据电子顺磁共振谱分析杂质中
心的缺陷模型
郑文琛 四川大学材料科学与工程学院
2006-7-11 四川大学材料科学与工程学院 1
一、杂质对材料性质有重要影响
金属 合金
半导体 掺杂，PN结，深能级
绝缘体 激光晶体,发光材料的活性中心
LiNbO : Mg, Zn 抗光损伤
3
: Fe, Mn 光折变效应
研究杂质的缺陷模型和缺陷结构有重要意义。
对过渡和稀土金属离子杂质，电子顺磁共振谱(EPR)是
重要手段。
2006-7-11 四川大学材料科学与工程学院 2
二、例子
一.研究杂质(缺陷)的性质：
以Fe+-X杂质中心在ZnS中为例
见下图
2006-7-11 四川大学材料科学与工程学院 3
2006-7-11 四川大学材料科学与工程学院 4
+ 7
EPR发现有一个Fe (3d )中心，主要是四角对称，伴有
小量的斜方，初步指认：
Fe+ 占Zn2+ ，在100轴上有一伴随的填隙杂质X，X性
质未知：且有微微偏心运动或旁边有其它缺陷。
分析：X为正电荷θ θ θ ≈54.74°立方时值。
0， 0
X为负电荷θθ0
2006-7-11 四川大学材料科学与工程学院 5
EPR计算公式
′2 2 2 ′ 2
35 (1/ 1/ ) E / 9 35E D /( DB )] Dζ E E − t − ζζ t
1 3 4 2 3
′ ′ ′ ′ ′ ′ 2
g g k E k k g8 /(3E ) ζ2 (2 ζζ ζ ζ 2 ) /(9 )
+ − − + +
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