衬底温度对氮化锌薄膜特性的影响.pdfVIP

华南师范大学学报 (自然科学版) 2012年 11月 J0UR AL OFSOUTH CHINANORMALUNIVERSITY 第44巷第4期 NOV．2012 (NATURALSCIENCEEDITION) Vo1．44 No．4 文章编号：1000—5463(2012)04—0066—04 衬底温度对氮化锌薄膜特性的影响 邵士运 ，陈俊芳 ，赵益冉 ，冯军勤 ，高 鹏 (1．华南师范大学物理与电信工程学院量子信息技术重点实验室，广东广州510006；2．华南师范大学实验中心，广东广州510006) 摘要：采用直流磁控溅射的方法，在不同温度的玻璃衬底上生长ZnN：薄膜．研究了衬底温度对样品的微结构、表面 形貌以及光学性质的影响．结果表明，随着衬底温度的升高，生长的Zn，N 薄膜择优取向增多；晶粒尺寸逐渐变大； Zn，N 薄膜间接光学带隙由1．86eV逐渐增大到2．26eV． 关键词 ：氮化锌薄膜；直流磁控溅射；表面形貌；光学带隙 中图分类号 ：TN304 文献标志码：A doi：10．6054／j．jscnurt．2012．09．013 ZnO为具有3．37eV宽直接带隙的n型半导体 znN：薄膜的结构、电学和光学性质，确定znN 为 材料 ¨ J，可作为低成本的透明导电薄膜材料 I4； 直接带隙 1．23eV的n型半导体材料．2005年， 由于ZnO具有60meV激子束缚能和很强的uV室 TOYOURA等 u用熔盐电解法制备出zn3N：薄膜， 温受激发射，作为 LEDs、LDs等短波发光器件材料 得到光学带隙为 1．01—1．23eV．2006年，ZONG 具有很大的发展潜力 ．因此，制备高质量的n型 等-1在玻璃衬底上利用反应磁控溅射法制备 了 和P型ZnO薄膜越来越重要．无掺杂的ZnO为n型 Zn，N 薄膜，并确定其间接禁带宽度为2．12eV．本 材料，所以P型ZnO薄膜的制备成为了人们研究的 文利用直流磁控溅射的方法制备氮化锌薄膜，并研 焦点．但氧空位、锌填隙原子，使得低阻值的P型 究衬底温度对Zn，N：薄膜性质的影响． ZnO很难获得．N原子已被证实是最理想的掺杂物， 因为N原子和O原子大小接近。。．尽管通过许多制 1 实验方法 备技术和方法已经得到了N掺杂的ZnO薄膜，但由 于 O原子的化学活性高于N原子的化学活性，抑制 实验采用JSD一350型直流磁控溅射设备制备 了具有较好可重复性的P型ZnO的实现．大多数制 zn，N 薄膜．溅射靶是直径50mm金属锌靶，纯度优 备N掺杂的P型ZnO的技术都是采用 zn或者ZnO 于99．99％．反应气体 N2纯度优于99．999％，工作 作为原材料，然后在 N：和O 的混合气氛中沉积薄 气体Ar纯度优于99．99％．衬底为玻璃，衬底与靶 膜 ，最后经过退火制得．2003年，WANG等 先利用 材之间的距离 10cm，镀膜时间2h．具体参数设置 直流磁控溅射的方法制备ZnN 薄膜，然后在O：氛 如表 1所示． 围中退火得到了N掺杂的P型ZnO薄膜．这使得 表 1 制备氮化锌薄膜具体参数 zn，N：薄膜的研究变得更加重要和迫切． Table1 ParametersforpreparingZn3N2thinfilms Zn，N 薄膜的光学带隙存在较大争议．KURIY． AMA等 于 1993年用蒸发zn金属薄膜在NH 环 境下退火，制备出多晶的zn，N：薄膜，晶格常数为 0．978rim的立方结构，并得出zn。N 薄膜的光学带 隙为3．2eV．FUTSUHARA等 于 1998年用磁控溅 射法制备出Zn0N 薄膜，得到该膜的光学带隙随 采用 日本理学UhimaIll型x一