IGBT应用中典型故障分析判断及注意事项的探讨.pdfVIP

科技资讯2011 NO.24 SCIENCE TECHNOLOGY INFORMATION 工 业 技 术 IGBT应用中典型故障分析判断及注意事项的探讨 郭宏 (国家广播电影电视总局五六一台 南昌 330212) 摘 要:本文对IGBT在应用中的典型故障进行了分类分析探讨,介绍了两种实用的IGBT故障判断方法,给出了IGBT在使用中的主要注意 事项及相关问题的解决措施。 关键词:IGB T 典型故障分析 判断方法 注意事项 中图分类号:TQ 150 文献标识码:A 文章编号: 16 72 -3 7 9 1(2 0 1 1) 0 8(c) -00 9 6 -02 绝缘栅双极型晶体管IGB T ,也称绝缘 坏。简而有效的保护方法就是采用电压箝 定的最大边界, 比如4 ～5倍额定电流时,必 门极晶体管。它是2 0世纪80年代中期出现 位式吸收电路,对瞬间过电压进行抑制,具 须在10 μs之内关断IGBT,如果此时IGBT所 的一种新型复合器件,它集成了MO S(绝缘 体电路就是在集- 射极两端并接齐纳二极 承受的最大电压也超过器件标称值的话, 栅型场效应管) 和GTR ( 大功率晶体管) 众 管,采用栅极电压动态控制, 当集电极电压 则IGBT 必须在更短时间内被关断。 多优点, 不仅具有高输入阻抗、开关速度 瞬间超过齐纳二极管的箝位电压时,超出 ( 3) 过高d i/ dt 。 快、饱和压降低、耐压高、承受电流大等优 的电压将叠加在栅极上(米勒效应起作用) , 过高di/ dt 引起的IGBT 故障,其实也可 点,而且工作频率范围宽( 可达几十k H z ) , 就可避免IGBT 因受集-射过压而损坏。 属于过压范围,很高的di/ dt 值与线路分布 经过三十多年快速发展,如今IGBT 在开关 此外,在栅- 射极间开路时,若在集- 射 电感的乘积, 导致瞬间过压。这种情况可以 电源、变频器、逆变器、U P S 、交流伺服系 极间加上电压, 则随着集电极电位的变化, 根据不同功率的IGBT模块,来选用不同的 统、感应加热装置、家用电器等领域得到 由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高, snubb er (缓冲) 吸收电路来解决。 了广泛应用。 集电极则有电流流过。如果此时集-射极间 1.3过热 然而, 随着IGBT模块的应用普及,其在 存在高电压,则有可能使IGBT模块发热及 过热一般是指使用中IGBT模块的结温 实际应用中的问题不得不引起重视, 由于 至损坏。 Tj ( 目前主流的I G B T 模块结温额定值 操作使用不当、保护电路(或装置)选择不合 (2 ) 高dv/ dt 和集- 栅过压。 Tj max= 150 ℃) 超过晶片的最大温度限定。 适等原因, 都极易导致I GB T 模块故障,造 栅极电压动态控制虽可解决因过高 引起过热的原因有很多情况,栅极电压不 成不必要的经济损失。本文,通过对IGBT典 dv/ dt 引起的集- 射极瞬间过压问题,但同 足、栅极驱动信号误动作、空载时间不足、 型故障、判断方法及注意事项进行探讨, 旨 时它也存在如下弊端, 当IGBT 工作在感性 超负荷或输出短路过电流、开关频率异常 在加深使用者对IGBT模块的了解,尽量减 负载电路中时, 半桥结构中处于关断的 增加、缓冲放电电流过大、栅极电阻值增 少实际应用中IGBT模块的故障率。 IGB T , 由于其FRD ( 快速恢复二极管) 的恢 大、散热不足以及接触面热阻增大、散热设 复,使得其集—射极两端的电压急剧上升, 计不完善等缘故,都容易导致IGBT模块过 1 IGBT典型故障分析 承受瞬间很高的dv/ dt