超大规模集成电路设计基础：第二讲 HMOS集成电路基础.pdfVIP

维普资讯 技术讲 超大规模集成电路设计基础 第二讲 NMOS集成电路基础 中科院姜藩 覃惹 鬈妻 目建电场，使Vss=O时就有起始的 导电淘 道产生， 2．1 增强型与耗尽型NMOS晶体管 从而使MOS管导通。在选种情况下，外加电压v 所 NMOS集成电路中最小单元是两种 场效 应 晶体 产生的电场与自建电场相叠加的总电场控制着约道的 管，即增强型和耗尽型NMOS场效应管，分剐简称为 导通能力，直弼反 向的v ；低刊夹断电压 (v，)时，总 NMOSrE)和NMOS(D)，其符号和结构 如 图 2．1所 电场被抵消，MOS管才截止。 示 。 两种NMOS管的转移特性曲线示于图2．2。如 果 增强型NMOS管是在P型硅片村底上，形 成两个 用V 表示导通的觑值 电压，对于NMOS(E)，则v 高杂质浓度的 扩散区域，分别作为据f极S和 漏极D， V ；对于NMOS(Dj，剐V =V 。两种NMOS管 而栅极板G不是由金属而是由多晶硅材料构 成，它与 的输出伏安特性曲线示图2．3 从图上可看 出，两 种 基片闯隔一层绝缘的=氧化硅 (SiO)升质薄层 在栅 管的伏安特性的饱和区域位置不同，在所示v 。取值 极和衬底闯加入正向的外加电压V㈨ 就舍建立一个垂 直方 向的外 电场，使P型硅衬底中的空穴载浇子 被排 斥而离开衬底表层井为地端所吸收，从而在该处形成 空问负离子电荷层 (耗尽层)。当正向的Vs：增大 到大 于开启电压 (VT)时，其 电场足档强，把耗尽层 中大量 的束缚电子嗳引到材底表面，从而形成一个电子导电 的晒 半导体 反型层 ，即水平方向的n型淘道。这时， d0S cE) xMoB LD 在S和D间接入电压，就会形成淘道电撼Ia。。掏道厚 度及沟道电流的大小受V 控制。 图2．2 NMOS臂的转移特性 多品硅 NM 0s (E) l0s (m 图2．3 NMOS管的输出特性 c n 范围内，NMOS(E)曲线族大部分 在 饱 和 区域，而 OS 。叫}n NMOS(D)曲线族六部分在电阻区域。这是由于它们 NM OS (E OS (D) 的周值电压V 不同所致。NMOS管的三个工作 区域 可以更形象地如图2．4所描述。在截止区，v。。v¨， 固2 】 NMOS管的结构和 {守号 Id Ol在饱和区，Vd足够高，使得 vd≥V ‘一 耗尽型M0s管的结构与增强型相似，不 同的是 V… 且V s≥V 在电阻区，Vt。足蟮 低，使得 在形成siO绝缘层的制造过程中，要注入 大 量 的正 VdVgs—V h【I且Vg≥V ，遗时MOS管的嘱， 离子 (一般为AS~或P)，形成垂直千村底表面方向的 源通道相当于一个有限阻值的电阻。 一 37— 维普资讯