微波光电导衰减法测量N型4H-SiC少数载流子寿命.pdfVIP

第 35卷 第5期 激 光 技 术 Vo1．35，No．5 2011年9月 LASER TECHNOLOGY September，2011 文章编号：1001—3806(2011)05—0610—03 微波光电导衰减法测量 N型 4H-SiC少数载流子寿命 高冬美，陆绮荣 ，韦艳冰，黄 彬 (1．桂林理工大学 机械与控制工程学院，桂林 541004；2．桂林理工大学 现代教育中心，桂林 541004) 摘要：为了更好地了解N型4H—SiC的电学特性 ，评价其晶体质量，采用激光技术和微波光电导作为非接触、非破坏 性测量半导体特性的一种工具 ，描述了其测试原理和实验装置，并讨论了不同的激发强度下 ，其少数载流子寿命的变化。 结果表明，改变入射激光能量 (即光子注入水平)，样品电压峰值与激发强度成正比，对其载流子寿命几乎没有影响。该 方法能方便快捷地测量载流子的寿命，对SiC材料性能的研究具有重要意义。 关键词 ：激光技术；少数载流子寿命 ；微波光电导；4H．SiC；注入水平 中图分类号 ：TN340．2 文献标识码：A doi：10．3969／j．issn．1001—3806．2011．05．010 M inoritycarrierlifetimemeasurementforN--type4H--SiC bymeans ofthem icrowavephotoconductivitydecaymethod GAODong—mei，LUqi．rong。，WEIYah—bing ，HUANGBin (1．CollegeofMechanicalandControlEngineering，GuilinUniversityofTechnology，Guilin541040 ，China；2．TheCenterof ModernEducationTechnoloyg，GuilinUniversityofTechnoloyg，Guilin541004，China) Abstract：InordertounderstandtheelectricalpropertyofN—type4H—SiC betterandevaluateitscrystalquality，withlaser techniqueandmicrowaveph0toc0nductivitymeasurementasatoolofthenon—conductiveandnon—destructivecharacterizationfor semiconductors，themeasurementprindiplewasdescribedandtheexperimental equipmentwasputforward．Thedependenceof theminoritycarrierlifetimeontheexcitationintensitywasdiscussed．Theresultsshowthatthechan~ngofthelaserpulseeneryg (i．e．thephotoninjectionleve1)littleaffectthecarrierlifetimeofthespecimen，itspeakvoltageisproportionaltotheexcitation intensity．Themethodofcarrierlifetimemeasurementisconvenientandefficientandhasagreatsignificanceofrexaminationof thepropertyofSiC materia1． Keywords：lasertechnique；minoritycarrierlifetime；microwavephotoconductivity；4H—SiC；injectionlevel