CdS量子点敏化ZnO纳米棒阵列电极的制备和光电化学性能.pdfVIP

物理化学学报(WuliHuaxueXuebao) November ActaP s．一Chim．Sin．，2010，26(11)：2927-2934 2927 A【rticle】 www．whxb．pku．edu．cn CdS量子点敏化 ZnO纳米棒阵列电极的制备和光电化学性能 张桥保 冯增芳 韩楠楠 林玲玲 周剑章 ，z 林仲华 1,2 (厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室，福建厦门 361005； 厦门大学化学化工学院化学系，福建厦门 361005) 摘要： 采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极．应用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点Z／nO纳米棒电极的形貌 、晶型和颗粒尺寸进 行了分析和表征；采用光电流一电位曲线和光电流谱研究了不同CdS循环沉积次数及不同沉积浓度对复合电极 的光电性能影响．结果表明，前驱体浓度都为0．1mol·L 且沉积 l5次敏化后的ZnO纳米棒阵列电极光电性能 最好．与单纯的ZnO纳米棒阵列电极和单纯的CdS量子点电极相比，其光电转换效率显著提高，单色光光子一 电流转换效率(IPCE)在 380nm处达到76％．这是因为CdS量子点可以拓宽光的吸收到可见光区，并且在所形成 的界面上光生载流子更容易分离．荧光光谱实验进一步说明了光电增强的原因是，两者间形成的界面中表面态 大大减少，有利于减少光生电子和空穴的复合． 关键词： ZnO纳米棒阵YU；CdS量子点；CdS量子~／ZnO纳米棒；连续式离子层吸附与反应法 光电化学性能 中图分类号： 0646 PreparationandPhotoeletrochemicalPerformanceofCdSQuantum DotSensitizedZnONanorodArrayElectrodes ZHANGQiao-Bao FENGZeng—Fang。 HANNan-Nan。 LINLing—Ling ZHOU Jian-Zhang。’ LIN Zhong—Hua。 (StateKeyLaboratoryofPhysicalChemistryof SolidSurface，XiamenUniversity，Xiamen 361005, FujianProvince，P．R．China； DepartmentofChemistry，CollegeofChemistryandChemicalEngineering XiamenUniversity,Xiamen 361005,FujianProvince,P．R．China) Abstract： W esensitized CdSquantum dotsonaZn0 nanorodarrayelectrodebythesuccessiveionic1ayer adsorptionandreactionmethod．Scanningelectronmicroscopy(SEM)，X—raydiffraction(XRD)，andtransmission electronmicroscopy(TEM)experimentswereperformedtocharacterizethemorphology，crystallinephase，nadgrain sizeoftheCdSquantum dotsensitizedZnO nanorodarrayelecrtodes．TheeffectofCdSdepositioncyclenumberand theprecursorconcentrationwe