高性能有机薄膜晶体管（OTFT）制备及其导电机制.pdfVIP

下载本文档

6
0
约2.52万字
约 6页
2017-09-12 发布于重庆
举报
版权申诉

高性能有机薄膜晶体管（OTFT）制备及其导电机制.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

专家论坛 Exp ert Forum 高性能有机薄膜晶体管 ( OTFT) 制备及其导电机制江　潮 , 于爱芳 , 祁　琼 ( 国家纳米科学中心 , 北京　100 190) 摘要 : 详细介绍了在 SiO2 和高 k Hf O2 介质层上制备并五苯薄膜晶体管方面的研究 , 特别是利用 ( ) ( ) 原子力显微技术 A FM 和静电力显微技术 EFM 研究了并五苯分子初始生长模式 , 揭示了 ( ) 衬底形貌、表面化学性能包括化学清洗和聚合物层修饰对有机半导体成膜结构和薄膜场效应晶体管性能之间的关联 , 包括晶体管迁移率、开关比和阈值电压等 ; 针对并五苯初始生长成核模 ( ) 式的差异 , 分析了不同岛畴间畴边界对载流子在有机薄膜内输运的影响 , 有助于理解有机半导体薄膜导电机理。通过优化和控制介电层和有机半导体薄膜层的界面化学性质 , 在 SiO2 介质 2 6 层上成功制备出迁移率为 1. 0 cm / V ·s 、开关电流比达到 10 的O TF T 器件 ; 在高 k Hf O2 介质层上获得的 O TF T 器件的工作电压在 - 5 V 以下 , 开关电流比达到 105 , 载流子迁移率为 0 . 6 2 cm / V ·s ; 器件性能指标已经达到目前国际上文献报道的最好水平。关键词 : 有机薄膜晶体管 ; 并五苯 ; 初始生长模式 ; 导电机制中图分类号 : TN32 1. 5 ; TN304 . 5 　文献标识码 : A 　文章编号 : 167 1- 4776 (2009) 07- 0385- 06 Fabrication of High Perf ormance PentaceneBased Organic ThinFil m Transistor and Its Mechanism of Mobil