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中国科技论文在线
超动态电压调整SRAM 设计#
赵慧,耿莉**
(西安交通大学电子与信息工程学院,西安710049 )
5 摘要:本文设计了一种8 管SRAM 单元和相应的读写辅助电路,解决了传统6 管SRAM 单元
低压工作存在的读写稳定性问题,实现了具有超动态电压调整(U-DVS )能力的SRAM 的
设计,其工作电压范围可从亚阈值区变化到标称电压,达到SRAM 低功耗和高性能的平衡。
通过自适应衬底偏置电路和读缓冲器的设计,增强了 SRAM 单元低压下的读稳定性和鲁棒
10 性。设计了可复用的读写辅助电路,同时提高 SRAM 的低压写能力和读速度。采用标准
0.18-µm CMOS 工艺进行了流片验证。测试结果表明SRAM 工作电压范围达到0.2V-1.8V,
相应的工作频率为184 kHz-208 MHz ,从1.8V 到0.2V 的工作电压范围内,SRAM 总功耗降
低了4 个数量级,工作电压0.2V 时的读写功耗仅为30nW。
关键词:集成电路设计;SRAM;超动态电压调整;亚阈值设计;静态噪声容限;低功耗
15 中图分类号:TN432
An Ultra-Dynamic Voltage Scalable (U-DVS) SRAM Design
Zhao Hui, Geng Li
(School of Electronics and Information Engineering, Xian Jiaotong University, Xian 710049)
20 Abstract: This paper presents a novel 8T SRAM bit-cell and assisted circuit to solve the
low-voltage functional problem of 6T SRAM, achieving the capability of ultra-dynamic voltage
scalable (U-DVS) operation. For low voltage operation, the configurable body bias scheme
enlarges the static noise margin (SNM) and bit-cell robustness. By multiplexing write and read
peripheral assist circuits, SRAM write ability and read speed are both improved. The test-chip is
25 fabricated with a standard 0.18-µm CMOS process. The measurement results demonstrate that the
proposed SRAM can operate from 1.8V at 208 MHz down to 0.2V at 184 kHz and the total power
dissipation scales down by four orders of magnitude. The access power at 0.2V supply voltage is
30nW.
Key words: IC design; SRAM; ultra-dynamic voltage scaling; low-voltage design; static noise
30 margin (SNM);low power
0 引言
静态随机存储器(Static Radom Access Memory,SRAM )在
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