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中国科技论文在线
缓冲层退火对氧化锌薄膜结晶性质的影响
杨建增，梁红伟，夏晓川，刘远达，申人升，杨德超，张赫之，杜国同**
（大连理工大学物理与光电工程学院，辽宁 大连 116024）
5 摘要：利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上先制备一薄层氧化锌，而后将其在
不同温度的氮气氛围下进行退火处理来制备氧化锌缓冲层。在不同温度退火的缓冲层上生长
氧化锌薄膜。利用 X 射线衍射仪、扫描电子显微镜、霍尔测试仪等表征与分析设备，研究
了不同退火温度下的缓冲层对二次生长的氧化锌薄膜的晶体性质的影响，发现相比于直接在
c 面蓝宝石生长的氧化锌薄膜，采用优化的缓冲层能够大幅提高氧化锌薄膜的晶体质量。
10 关键词：氧化锌；退火；缓冲层；金属有机物化学气相沉积
中图分类号：O484.1
Effect of Annealing of Buffer Layer on the Crystallization
Properties of ZnO Films
15 YANG Jianzeng, LIANG Hongwei, XIA Xiaochuan, LIU Yuanda, SHEN Rensheng,
YANG Dechao, ZHANG Hezhi, DU Guotong
(School of Physics and Optoelectronic Technology, Dalian University of Technology,
LiaoNing DaLian 116024)
Abstract: In this paper, ZnO buffer layer were deposited on c-axis sapphire substrates by
20 Metal-organic chemical vapor deposition and then,annealing in the nitrogen atmosphere under
different temperature. ZnO thin films were grown on nuclear layer with different annealing
temperature. Effect of buffer layer with different annealing temperature on the crystallization
properties of ZnO films in the secondary growth process was studied by characterization and
analysis equipments which included X-ray diffraction, scanning electron microscopy and Hall
25 tester. Comparing with depositing ZnO film on c-axis sapphire substrates directly, the result
showed that the crystal quality of ZnO film had been improved significantly by optimized
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