活性成分对金刚石膜沉积速率和质量的影响.pdfVIP

201】年8月 第4期 金刚石与磨料磨具工程 Aug．2011 第3l卷 总第 184期 Diamond ＆AbrasivesEngineering No．4 Vo1．31 Seria1．184 文章编号：1006—852X(2011)04—0010—05 活性成分对金刚石膜沉积速率和质量的影响 李德贵 苟 立 冉均国 ‘ (1．四川大学，材料科学与工程学院，成都 610065) (2．百色学院，物理与电信工程系，广西 百色 533000) 摘要 采用微波等离子体化学气相法合成的金刚石膜质量好，但采用常规CH一H，气体体系，金刚石膜 的沉积速率低。为此，实验研究了cH5OH-H 、CH4-H2-Ar和CH4-H2-N 等含有活性成分的体系下，微 波功率、碳源浓度、气体压力对金刚石膜沉积速率、表面形貌、电阻率的影响。结果表明：使用含氧、氩、 氮等活性成分的体系，金刚石膜生长速率分别达0．57、0．59、0．58txm／h，较常规 CH．H，体系提高了近 一 倍；并且金刚石膜的纯度高(薄膜表层金刚石 c含量80％以上)、晶型好、电阻率高(约为 10旧n ·cm)； 同时，氩、氮的加入可显著降低金刚石的晶粒尺寸。因此，引入活性成分是一种提高金刚石膜沉积速率 和质量的有效方法。 关键词 金刚石膜；沉积速率；微波等离子体化学气相沉积 中图分类号 TQ164 文献标识码 A DOI编码 10．3969／j．issn．1006～852X．2011．04．003 Influenceofactivecomposition on thegrowthrate and qualityofdiamondfilm LiDegui’ GouLi RanJunguo (1．CollegeofMaterialsScienceandEngineering，SichuanUniversity，Chengdu610065，China) (2．Departmentof icsandCornmunicationEngineering，BaiseUniversity，Baise533000，China) Abstract Thediamondfilm withexcellentquality canbesynthesizedbyusingmicrowaveplasma chemical vapordeposition (MPCVD)method．However，thegrowth rateofdiamondfilm isvery low with the conventionalgassystem ofCH4_H2．Inordertoimproveitsgrowthrateandquality，theinfluenceofdifferent microwavepower，differentconcentrationofcarbonradicalsandgaspressureinC2H5OH—H2，CH4一H2·ArCH4一 H2N2gassystemsontheresistivity，growthrateand surfacemorphologyofdiamondfilm were studied．The resultsshow thatthegrowthrateofdiamondfilm isupto0．57，0．59，0．58 n1／，hrespectivelywithgassystems containingactivecompositions(0，Ar，N)，whichnearlydoublethatofCH4一H2gassystem，andthediamond film isofhighpurity(thatrelativecontentofdiamondC-Cbondismoret