X波段介质谐振器振荡器和缓冲放大器的研究.pdfVIP

2011年 9月 1日 现代电子技术 Sep．2011 第 34卷第 17期 ModernElectronicsTechnique Vo1．34No．17 x波段介质谐振器振荡器和缓冲放大器的研究 苏 云，赵惠玲 ，蒋 丹 (西北工业大学 电子信息学院，陕西 西安 710072) 摘 要 ：微波振荡器代表所有基本微波通信系统的能源来源。研究设计 8．95GHz的低噪声砷化镓场效应管并联反馈 介质谐振器振荡器，为了放大输 出功率和提 高负载 牵引，在介质谐振器振荡器后一级加缓冲放大器，最终的输出功率是 +13．33dBm。测试证明输 出信号的相位噪声偏离 中心频率 100kHZ可达一1l6．49dBc／Hz，偏 离 中心频率 10kHz可 达一91．74dBc／Hz。 关键词 ：相位噪声；介质谐振器振荡器 ；缓冲放大器；中心频率 中图分类号：TN752-34 文献标识码 ：A 文章编号：1004—373x(2O11)17—0178—03 X-bandDielectricResonatorOscillatorandBufferAmplifier SU Yun，ZHAO Hui—ling，JIANGDan (CollegeofElectronicInformation，NorthwesternPolytechnicalUniversity，Xi’an710072，China) Abstract：Themicrowaveoscillatorsrepresentthebasicmicrowaveenergysourcesforallmicrowavecommunicationsys— terns．Thedesignofalow phasenoise (8．95GHz)parallelfeedbackGaAsFET dielectricresonatoroscillator (DRO)is studied．InordertOmagnifytheoutputpowerandenhancetheloadpulling，abufferamplifierisdesignedaftertheDR0， whoseoutputpoweriS+ 13．33dBm．TheDRO wasmeasured．Theresultprovesanoscillationat8．95GHzwithaphase noiseof一儿6．49dBc／Hzat100kHz。and一91．74dBc／Hzat10kHz． Keywords：phasenoise；dielectricresonatoroscillator；bufferamplifier；centrefrequency 管中载流子不规则热运动引起的，它的大小与晶体管本 0 引 言 身的欧姆电阻有关。散弹噪声是 由于晶体管 内部复杂 随着微波半导体技术和微波集成 电路 (MIC)以及 的载流子 (电子)运动起伏所产生的，其大小与电流成正 雷达、电子对抗 、通信等技术的发展 ，微波设备与系统也 比。闪烁 噪声是与频率成反 比的噪声 ，又称 1／f噪 趋 向小型化 、集成化和低成本化发展 ，同时对振荡器其 声口]。它是微波晶体管振荡器近载频相位噪声的主要 性能指标提出了更高的要求 。介质谐振器(DR)以其体 来源 ，通过器件的非线性效应上变频对微波频率发挥作 积小、重量轻、Q值高、结构简单 、价格便宜等优点，广泛 用 ，在远离载频端可以忽略[4]。 应用 于微波 源设 计，此类 振荡器称为介质振荡器 关于振荡器的相位