薄膜厚度对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响.pdfVIP

· 56· 广州化工 2011年39卷第l6期 薄膜厚度对 Al掺杂 ZnO薄膜性能的影响 李雪勇，严钦云，崔丽玲 (湖南工业大学理学院，湖南 株洲 412008) 摘 要 ：采用直流磁控溅射技术，以氧化锌铝陶瓷靶为靶材，在玻璃衬底上制备了ZnO：A1(ZAO)薄膜样品。在其他参数不变 的情况下，由不同溅射时间得到了不同厚度的薄膜，研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。实验结果表 明：在薄膜厚度为 500nm时，ZAO薄膜具有最优化的光 电性能，电阻率为 1．68×10。Q ·cm，可见光区平均透射率为 90．3％。 关键词 ：ZAO薄膜；薄膜厚度；电学性能；光学性能 EffectofFilm ThicknessonthePropertiesofAIDopedZnO ThinFilms L／Xue一 ， ⅣQin—yun，CUlLi—ling (SchoolofSciences，HunanUniversityofTechnology，HunanZhuzhou412008，China) Abstract：TheZnO：A1(ZAO)filmswithdifferentthicknessweredepositedonglasssubstratesusingaDCreactive magnetronsputteringsystem andthethicknessdependenceofstructural，electricalandopticalpropertiesoftheZAOfilms werestudiedindetail．TheZAO thinfilm waspreparedbyusingtheoptimum parameter，anditcanbeacquiredthatthe film thicknesswasabout500nm．theresistivitywas1．68×10一Q ·cmandthetransmissivityinvisibleregionwasabout 90．3％ ． Keywords：ZAO films；film thickness；electricalproperties；opticalproperties 氧化锌 (ZnO)是 Ⅱ～Ⅵ化合物半导体 ，在室温下的直接光 薄膜组织结构及光学性能的影响。 学带隙为3．37eV。作为一种重要的光电子信息材料，在制造发 光器件、液晶显示器、非晶硅太阳能电池 ，以及透明电磁屏蔽和 1 实验方法 触敏覆盖层等领域得到了广泛的应用。与现在常用的锡掺杂的 ZAO薄膜是在CSU一5001型多功能磁控溅射仪上采用直流 氧化铟 (ITO)和氟掺杂的氧化锡 (SnO，)相比，ZnO薄膜具有价 磁控溅射的方法制备的，采用质量分数为3％的A1，O (纯度为 格便宜、在氢气氛下稳定性高等优点 J。在氧化锌薄膜 中掺 99．99％)掺杂的ZnO (纯度为99．99％)陶瓷靶 ，靶材到衬底的 入铝、铟、氟等杂质，可以有效地提高薄膜的电导率 ，改善薄膜的 距离为70mm，衬底使用超声波清洗后的透明玻璃。工作室背 性能。铝掺杂的氧化锌透明导电膜 (ZnO：A1，ZAO)在可见光区 底真空为 2×l0一Pa，沉积工作压强为 0．5Pa，溅射功率控制在 内具有高的透射率和低的电阻率 ，尤其是其光学带隙可以由铝 150W。纯度为99．9％的氩气和氧气分别作为溅射和反应气体 ， 掺杂的比例进行控制，作为一种重要的光电子信息材料 ，ZnO：A1 各 自的流量和总