一种用于RFID标签芯片LDO稳压源的设计.pdfVIP

二 种 用 于 RFI D标 签 芯 片 LDO稳 压 源 的 设 计 杨盛波唐宁覃贤芳 桂林电子科技大学信息与通信学院，广 西，54 1004 【摘 ’要】基于RFI D标签芯片 的低功耗要求，本文设计 了一种超低功耗 的 LDO稳压源。其特点是采用0 ．35 “m标准的CMOS数字工艺，采用弱偏置 电流，使电 路中的主要功能MOS管都工作在亚阈值状态，结构简单、低功耗以及 电压温度稳定 性好 。在s pe ct r e环境下仿真表明，该LDO稳压源有较宽的输入 电压范围( 3—8V) ， 较低的输入输 出压差( 10mV) ，并且电路所消耗的功率在20 “w左右。 【关键词】亚阈值带隙基准源 电源抑制 比低功耗LDO 一、引言 发射高频的强电磁场；发射磁场的一部分磁力线穿过 电压基准源广泛应用于各种模拟集成 电路，数模 标签天线，并在标签天线上感应出交变 电压；该电压 混合信号集成电路和系统集成芯片中，它的精度和稳 经过整流后 ，可 以得到初级电源VHD。但VHD的波动 定性直接决定着整个系统的精度。在做RFI D无源标签 太大 ，不适合作为芯片 的工作 电源，需要经过一个 芯片 的设计 时，系统要从感应线圈中获得足够的能 LDO稳压模块来产生稳定的模拟和数字 电源。LDO线 量，进行数据还原和相关的信号处理，那么电源产生 性稳压器结构图如图1所示 。 电路本身的功耗就要足够的小，带隙电路作为 电源产 生 电路的主要组成部分，正是重点研究的意义所在， 本文设计 的LDO稳压源正是基于这一要求所设计出来 的。 为实现低功耗的要求，本文充分运用了MOS管亚 阈值工作状态，工作在亚 阈值区的MOSFET不仅电流 非常小，而且适合在低 电压下工作，适合用来设计高 图1线性稳压器结构图 其中，最左边的部分为带隙基准 电压模块，用来 精度 的低功耗 串联线性稳压源 。 二、在RFI D系统中LDO的结构设计 产生一个受输入 电压和温度影响都很小的基准 电压 ；中 射频识别技术( RFI D) ，是一种无线识别和数 间部分为误差放大 电路，Ml 为调整管，Rl 和肋陶成反 据获取技术，它利用射频方式进行阅读器和射频标签 馈 网络 ，用来采样输 出信号，通过误差放大电路对输出 的非接触双向通信，以达到 自动识别 目标对象并获取 电压进行调整。使输出电压等于VDD t r ey ×( 1+裂) 相关数据，具有精度高、适应环境能力强、抗干扰 ，其中Vr ef 3kj 基准 电压源 的输出电压，通过调节R1和 强、操作快捷等许 多优点 。 R2 的大小，可 以得到所需要的输 出电压。 RFI D基本工作原理为：阅读器通过天线向周 围 三、带隙基准源 电路设计 一37— 如 图2 ．该基准 电压产生电路 由启动 电路、偏置电 路、运算放大 电路和基准 电压产生主体部分组成。 陆 ‰ +- 鲁 l l Vr l n 瞻 司 其中，‰为硅 的带隙电压。儿为PNP管集电极电 流密度，Y为工艺相关的温度系数。J | }为玻尔兹曼常 数，