GaMnAs的Raman光谱研究.pdfVIP

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第 25卷第 3期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vol. 25, No. 3 2006年 6月 J. Infrared M illim. W ave s June, 2006 文章编号 : 100 1 - 9014 (2006) 03 - 0207 - 06 GaM nA s的 Raman 光谱研究 1 1 1 1 1 2 马宝珊 ,  王文杰 ,  苏付海 ,  邓加军 ,  蒋春萍 ,  刘海林 1 1 1 丁  琨 ,  赵建华 ,  李国华 ( 1. 中国科学院半导体研究所 超晶格国家重点实验室 ,北京 , 100083; 2. 武汉大学 物理学院 ,湖北  武汉 , 430072) 摘要 :报道了磁性半导体材料 GaM nA s的拉曼光谱 ,发现其空穴等离子体激元与 LO 声子振动耦合形成的 CPL P模 具有类 LO 模的偏振特性. 随着 M n组分的增加 , CPL P模的拉曼频率红移 ,通过 CPL P模与耗尽层中未屏蔽的 LO 模 的强度比计算了合金中的空穴载流子浓度. 发现空穴浓度随 M n组分的增加而迅速增加. 测量了不同温度下 GaM nA s合金的拉曼光谱. 证实合金中空穴浓度随温度的增加而增加. 关  键  词 : GaM nA s;拉曼光谱 ;等离激元与声子耦合模 ;空穴浓度 中图分类号 : O472  文献标识码 : A STUDY ON RAM AN SPECTRA O F GaM nA s 1 1 1 1 1 MA B aoShan ,  WAN G W enJ ie ,  SU FuH ai ,  D EN J iaJun ,  J IAN G ChunP ing , 2 1 1 1 L IU H aiL in ,  D IN G Kun ,  ZHAO J ianHua ,  L I GuoHua ( 1. State Key L aboratory for Sup erlattice s and M icro structu re s, In stitu te of Sem iconductors, Ch ine se A cadem y of Science s, B eij ing 100083, Ch ina; 2. D ep artm en t of Physic s, W uhan Un iversity, W uhan 430072 , Ch ina) A b stract:R am an sp ectra of diluted m agnetic sem iconductor GaM nA s alloy were reported. The

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