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第 3 期
16 真 空 VACUUM 2001 年 6 月
反应 RF 磁控溅射法制备非晶氧化硅薄膜及其特性研究
1, 2 1 1
何乐年 , 徐 进 , 王德苗
( 1 浙江大学信息与电子工程学系, 浙江 杭州 310027; 2 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室, 上海 200050)
摘 要: 在氧气和氩气的混合气体中, 在没有额外加热的条件下用反应射频(R F ) 溅射硅靶制备了非晶氧化硅
( ) 薄膜, 并测试分析了薄膜的结构和电特性与 流量比的关系。当固定氩气流量, 改变氧气流量
a SiO 2 O 2 A r
时, 薄膜沉积速率先急剧减少, 再增大, 然后又减少。当 ≥0. 075 时, 得到满足化学配比的氧化硅薄膜。
O 2 A r
并且, 随着 流量比的增大, 薄膜的电阻、电场击穿强度都有所增大, 而在 缓冲溶液( ) 中的腐蚀
O 2 A r H F BH F
速率下降。所有的样品中无明显的 水分子的红外吸收峰。比较发现反应射频( ) 磁控溅射法制备的
H OH R F
薄膜具有良好的致密性和绝缘性。
a SiO 2
关键词: 反应 磁控溅射; - 薄膜; 腐蚀速度; 电阻率
RF a SiO2 BHF
中图分类号: TB 43 文献标识码:A 文章编号:(2001)
Properties of am orphous SiO2 f ilm s prepared by reactive RF magnetron sputter ing m ethod
1, 2 1 1
, ,
H E L e n ian XU J in W AN G D e m iao
(
1 , 3100
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