わずか数原子層の金属膜で電気的磁化操作効率を制御.pdfVIP

同時発表： 筑波研究学園都市記者会（資料配布） 文部科学記者会（資料配布） 科学記者会（資料配布） わずか数原子層の金属膜で電気的磁化操作効率を制御 －極薄磁性膜を用いた不揮発性メモリ・演算素子技術への展開に期待－ 解禁日：平成２４年１２月２４日（月） 午前３時 平成２４年１２月２１日 独立行政法人 物質・材料研究機構 国立大学法人 東北大学 概要 １．独立行政法人物質・材料研究機構（理事長：潮田 資勝）磁性材料ユニットの林 将光主任研究員らの研 究グループは、国立大学法人東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター、電気通 信研究所及び、原子分子材料科学高等研究機構の大野 英男教授らと共同で、極薄の強磁性金属層を非磁性 金属層と酸化物層で挟んだ磁性ナノヘテロ接合１）において、非磁性金属層の膜厚をわずか数原子層程度変 化させるだけで、強磁性金属層における磁化方向の電気的制御効率を大きく変えられることを見出した。 ２．磁性体の磁化の向きを情報の記憶ビット２）として用い、その磁化の向きを電気的に制御するスピントロ ３） ４） ４） ニクス素子 は、電源を切っても情報が保持される不揮発性メモリ や不揮発性論理演算素子 への応用 の期待が高まっている。スピントロニクス素子実現に向けて課題となっているのは、いかに低電力で磁化 方向を制御できるかという、情報の「省エネルギー書き込み」技術である。 ３．研究グループは今回、膜厚が数原子層程度のコバルト鉄ボロン（CoFeB）からなる磁性層を、タンタル （Ta）金属層と酸化マグネシウム（MgO）絶縁層で挟んだ磁性ナノへテロ接合に電流を流したときの磁化 に作用する力（トルク）の大きさが各層の膜厚によってどのように変化するかを詳細に調べた。その結果、 電流が誘起するトルクには、電流と平行な成分と直交する成分が存在することを発見した。さらに、Ta 層 の膜厚がわずか1 ナノメートル増えるだけでトルクの大きさが倍増することがわかった。トルクの大きさ は電気的に磁化を制御するのに必要な電力に直結しており、大きければ大きいほど低電力で磁化反転を誘 起できる。 ４．今回の成果は、磁性ナノヘテロ接合においてスピンホール効果などのスピン流生成機構を利用した新た な磁化制御の基盤技術につながるものであり、不揮発性素子を適用した論理演算素子集積回路の高性能 化・省電力化などへの応用が期待される。 ５．本研究成果は、日本時間平成24 年12 月24 日3 ：00 にイギリスの科学雑誌｢Nature Materials｣のオン ライン速報版で公開される。 1 研究の背景 磁性体の磁化の向きを情報の記憶情報として用い、それを電気的に制御するスピントロニクス素 子は、電源を切っても情報が保持される不揮発性メモリや不揮発性論理演算素子への応用が可能で あり、それらを適用した集積回路の高性能化・省電力化への期待が高まっている。スピントロニク ス素子実現に向けて課題となっているのは、いかに低電力で磁化を制御できるかという、情報の「省 エネルギーな書き込み」技術である。従来用いられていた磁場による情報の書き込み方式では消費 電力が大きく素子の高記録密度化に対応できないので、それに代わる書き込み方式としてスピン注 入磁化反転５）が開発された。スピン注入磁化反転とは、情報を保持している磁性体素子に直接電流 を流すことで磁化の向きを制御する手法であり、電流の向きを変えることで磁化の向きを反転させ ることができる。スピン注入磁化反転を利用することで、メモリの高記録密度化に対応でき、また 消費電力も軽減できるため、高速で動作する磁気ランダムアクセスメモリや、記録密度が高い磁壁 移動メモリ６）の開