氮化钛阻挡层化学机械抛光液的研究.pdfVIP

第 19卷 第 l6期 电子设计工程 2011年 8月 Vo1．19 No．16 ElectronicDesignEngineering Aug．2011 氮化钛 阻挡层化学机械抛光液的研究 孙守梅 (天津职业技术师范大学 天津 300222) 摘要 ：为 了解决 Cu互连线污染和形成高阻铜硅化物以及 Cu与SiO 粘 附性差等问题 ，提 出增加扩散 阻挡层 的解决 方案。主要关于氮化钛阻挡层化学机械抛光的研究。分析 了氮化钛 的抛光机理 ．研究了氧化剂浓度及抛光液的pH时 抛光速率的影响，最后配制 了适合氮化钛 阻挡层的碱性抛光液。 关键词 ：化学机械抛光 ；阻挡层 ；氮化钛 ；抛光液 中图分类号：TN405．97：TN305．2 文献标识码 ：A 文章编号：1674—6236(2011)l6—0l90—03 ThestudyonCMPslurryoftitainm nitridebarrier SUNShou．mei (TianjinUniversityofTechnologyandEducation，Tianjin300222，China) Abstract：InordertosolvetheCupollution，theformationofhighresistanceCu-silicide，pooradhesion，adiffusionbarrier solutionsisproposed．Inthispaper，titanium nitridebarrierlayerchemicalmechanicalpolishingisintroduced．Thepolishing mechanismoftitaniumnitrideisanalyzed，andhteconcentrationoftheoxidnatna dhtepH valueofslurryonpolishingrateare studied，atlastthealkalineslurryfortitanium nitridebarrierlayerisdeployed． Keywords：chemicalmechanicalpolising(CMP)；barrier；titaniumnitride；slurry 由于器件设计 的特征尺寸越来越小 ．导致金属变细、电 (ChemicalMechanicalPolishing，CMP)技术 已成为实现硅片 阻率增大、产生 的热量增多．从而产生严重的电迁移现象，大 全局平坦化 的关键技术 ，它不仅在材料制备阶段用于超光滑 大影响了器件 的性能。这样 ，被广泛用于超大规模集成 电路 无损伤单 晶硅衬底 的加工，而且也是多层布线金属 (铜)互连 设计 中的Al再作为互连结构的金属 已不能满足器件性能的 结构工艺中实现局部和全局平坦化的理想方法2[-31。 需要 。经过实验研究，铜是理想的连线材料 。但是 ，长期 以来 ， 1 氮化钛抛光液的选择 铜布线的一些技术难题难 以解决。在这些难题中，其一是 Cu 的污染 问题 。由于 Cu是间隙杂质 ，即使在很低的温度下也可 抛光液是影响CMP质量 的决定性因素 ，它既影响CMP 以迅速 的在硅和 SiO 中扩散 ，而且 Cu在硅 中又是深 能级杂 的化学作用过程 ，又影响机械作用过程 。抛光液 的化学成分， 质 ，Cu扩散进入 Si或 SiO 中会影响期间的少数载流子寿命 能控制 CMP过程中的pH。影响氧化物表面 的带电类型和电 和结的漏电流 ，使器件 的性能破坏 ，甚至失效，因此必须防止 荷