氧化钨薄膜变色机理研究.pdfVIP

维普资讯 第27卷 第 l2期 核 技 术 Vo1．27，No．12 2004年 l2月 NUCLEARTECHNIQUES December2004 氧化钨薄膜变色机理研究 马创新 周春兰 秦秀波 王宝义 魏 龙 奎热西 钱海杰 苏 润 钟 俊 (中国科学院高能物理研究所 北京 100049) 摘要 利用慢正电子柬流技术和x射线光电子能谱研究了热致变色和电致变色三氧化钨 (WO3)薄膜中w离 子在膜内和表面的分布。结合其变色性能，讨论了热致变色和电致变色之间的相关性。 关键词 三氧化钨，热致变色，电致变色，机理，表面 中图分类号 0484．4，0571．3 三氧化钨 (WO3)薄膜是一类重要的光学活性 斜相WO3和单斜相w20O58组成，膜中存在氧缺乏 涂层材料，属于n型氧化物半导体，其光学特性随 现象。 外部条件的改变而发生变化l【J。根据诱发因素的不 DU．600型 (BECKMAN)紫外一可见光分光光 同可以分为：热致变色、电致变色、光致变色、气 度计测量了电致变色和热致变色的 WO3薄膜透射 致变色等。就WO3薄膜变色性能的应用来讲，作为 光谱 (见图 1)，结果表明，这种 WO3薄膜具有优 显示器件，与液晶显示器相比，具有更高的对比度， 异的电致变色和热致变色性能。电致变色过程发现， 无视角差等优点。作为灵巧窗的核心材料，它可随 它具有响应时间短 (5S)，驱动电压低 (lV)的 意动态地调节太阳能的输入或输出，实现光密度可 特点。 逆的连续调节，而且低能耗，因此广泛地使用于建 利用中国科学院高能物理研究所的基于 2Na 筑、汽车等作为节能玻璃窗材料。 慢正电子束流装置5J【对原始膜及两种变色膜进行了 从 目前的研究现状来看，关于WO3薄膜变色机 深度扫描，实验方法为正电子湮没多普勒能量展宽 理的解释有很多，如对于电致变色机理，先后提出 谱 (DBES)，通过改变正 电子注入能量 (0．1— 过色心理论 【、双注入模型引【、能带理论 【J等；而关 30keV)，可以得到DBES线性参数 随正电子能 于 WO3薄膜不同变色方式之间的相关性研究的报 量的变化关系，即s(E)曲线。 道较少，有待深入系统地研究。本文利用慢正电子 x 射线光电子能谱 (xPs)测量是在北京同步 束流技术、x射线光电子能谱 (XPS)对电致变色、 辐射国家实验室光电子能谱实验站完成的。入射光 热致变色的WO3薄膜进行了表面及深度分布研究， 子能量hv=618eV，谱仪功函数 妒sp=4．5eV。 结合其变色性能，讨论了电致变色和热致变色之间 的个性与共性，为进一步揭示WO3薄膜的变色机理 进行了有益的探索。 1 实验 采用直流 (DC)反应磁控溅射的方法制备WO3 薄膜。溅射靶采用纯w靶 (99．9％)，工作气体为高 纯氩 (99．9993％)，反应气体为高纯氧 (99．995％)， 氩气和氧气的流量比为40／5，工作气压为4Pa，基 片为铟锡氧 (ITO)导电玻璃，WO3薄膜厚度约为 400nln。 x射线衍射 (XRD)分析表明，室温沉积的WO3 图1 WO3薄膜透射光谱 薄膜为非晶态，经400。C退火后晶化，相结构由三 Fig．1 ThetransmittancespecrtaofWOsfilmsatdifferent states 国家自然科学基金项目(No10275077)资助 第一作者：马创新，男，1973年出生，20