超薄HfN界面层对HfO2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进.pdfVIP

超薄HfN界面层对HfO2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进.pdf

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第30卷 第4期 固体电子学研究与进展 Vo1.3O。NO.4 2010年 12月 RESEARCHPROGRESSOFSSE DeC.,2010 超薄HfN界面层对HfO2栅介质 GepMOSFET电性能的改进 张雪锋 “季红兵 邱云贞 王志亮 黄 静 张振娟 徐静平。 (·南通大学电子信息学院,江苏,南通,226019)(华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074) 2010-08—31收稿,2010一l0-23收改稿 摘要 :通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层 ,实验制备 了HfOz/HfON叠层栅介质GeMOS器 件 。与没有界面层 的样 品相 比,HfO /HfON叠层栅介质MOSFET表现 出低 的界面态密度、低 的栅极漏 电和高有效 迁移率 。因此利用HfON作为GeMOS器件 的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high—k/Ge界面质量 有着重要的意义 。 关键词 :P沟锗基场金属一氧化物一半导体场效应晶体管;高介 电常数介质 ;氮化铪界面层 中图分类号 :TN386.1;TN305.2 文献标识码 :A 文章编号 :1000-3819(2010)04—0507—03 ImprovementofElectricalPropertiesofGepM OSFET with HfO2 DielectricbyIntoducingan UltralThin LayerofHfN ZHANG Xuefeng · JIHongbing QIU Yunzhen WANG Zhiliang HUANG Jing ZHANGZhenjuan XU Jingping (SchoolofElectronicInformation,NantongUniversity,Nantong,Jiangsu,226019,CHN) (。DepartmentofElectronicScienceTechnology,HuazhongUniversityofScienceandTechnology,Wuhan,430074,CHN) Abstract:HfO2/HfON/GeMOSdeviceswerefabicatedbyintoducinganultralthinlayerof HfN toimprovethequalityofhigh—k/Geinterface.AscomparedtothesamplewithoutHfON in— terlayer,theGeMOSFET withHfO2/HfON gatestackshowssomeimprovementproperties, suchaslow interfacestatedensityandgateleakagecurrent.andexcellentoutputcharacteristics andhigheffectiveholemobility.Therefore,itisaneffectivemethodtouseHfON asapassivein— terlayeronGeinM OSdevices. Keywords:GepMOSFET;high—kdielectric;HfN interlayer EEACC:O520B;2560J 方面 ,由于Ge具有 比Si高3倍的电子迁移率和高 1 引 言 倍的空穴迁移率而成为极具潜力 的替代Si的沟道 材料。高质量的绝缘 /沟道界面对于high—k/GeMOS 随着绝缘栅场效应 晶体管尺寸持续缩小 ,高介 器件性能至关重

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