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低温与超导 本期头条 Cryo． Supercond．
第38卷 第 11期 Focus Vo1．38 No．11
超导纳米线单光子探测器件的制备
杨晓燕 ，尤立星 ，张礼杰 ，黄少铭 ，
MintuMondal，SanjeevKumar，JohnJesudasan ，PratapRaychaudhuri
(1．中国科学院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室，上海200050；
2．温州大学，纳米材料与化学重点实验室，温州 325027；
3．TataInstituteofFundamentalResearch，HomiBhabhaRd．，Colaba，Mumbai400005，India)
摘要：超导纳米线单光子探测器件 (SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于
5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为 15Ohm宽的纳米曲折线结构，纳米线条 占空比为
75％，面积为20l,zm×20p．m。超导纳米线是利用电子束曝光 (EBL)技术和反应离子刻蚀 (RIE)等工艺技术制备的。
所制备的SNSPD样品，在温度 3．5K下的临界电流约 12．91xA；在 1310nm波长光波辐照，12．51xA的偏置电流下，探
测效率约0．016％。
关键词：超导纳米线单光子探测器；电子束曝光 ；反应离子刻蚀；探测效率
FabricationOfsupercOnductingnanowiresinglephotondetector
YangXiaoyan，YouLixing，ZhangLijie，HuangShaoming，
MintuMondal ，SanjeevKumra3，JohnJesudasan，PratapRaychaudhuri
(1．StateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformation，
ShanghMInstituteofMicmsystemandInformationTechnology(SIMIT)，CAS，Shanghai200050，China；
2．Nanomaterials＆ChemistryKeyLaboratory，WenzhouUniversity，Wenzhou325027，China；
3．TataInstituteofFundamentalReserach，HomiBhabhaRd．，Colaba，Mumbai40OOo5，India)
Abstract：Superconductingnanowiresinglephotondetector(SNSPD)isthekeypartofaSNSPDsystem．Wesuccessfully
fabricatedaSNSPD devicebasedonNbNfilmswith5nm thickness．Theeffectiveraeaofthedevicewasnanowiremeanderstruc．
ture．ThewidthofthenanowireWas 150nm．withafillingfactorof0．75．Th ewholesizeofthemeanderstructurewas20ixtfi×
20 m．，nlenonowireswerefabricatedbyEBLandRIEprocesses．Thecriticaltemperatureofthedevicewas8．5K，andthecriti—
cal currentwas12．9 A atabout3．5K．Withtheradiationoflightof1310nm wavelengthandthebias currentof12．5 A，weob·
tainedtheDE ofabout0．016
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