不同形貌Ga2O3纳米材料可控合成工艺研究.pdfVIP

第36卷 增刊2 稀有金属材料与工程 v01．，6，Suppl．2 RAREMEllALMATERL～LSANDENGINEERJNG2007 2007年 8月 A雌ust 不同形貌Ga203纳米材料可控合成工艺研究 孟阿兰1，高卫东1，李镇江1，一，万里冰1 (1．青岛科技大学，山东青岛266042) (2清华大学深圳研究院，广东深圳518057) 摘要：通过研究基片种类、加热温度、保温时间、冷却速度及是否加入催化剂等不同工艺参数对低维Oazo，纳米材 貌卢．Ga20，纳米材料分别为纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环及纳米片。x射线衍射(x．‘ay)分析结果表明不同形貌 223nm，6=0．304nm，o=O58 纳米材料均为晶格常数日=l nm，口=90。，户1037。，严90。的单斜晶系争G舰03晶体。 关键词：卢G820，纳米材料；不同形貌；合成；形成机理 中田法分类号：Tol74．6：TB383文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2007)s2．296．03 1 引 言 2．2试样表征 声-Ga203是一种具有极好热稳定性和化学稳定性 采用S一4200型场发射扫描电境对产物微观形貌 的透明氧化物半导体材料，带隙宽度为49evIl】。 进行表征；采用H一9000NA犁透射电镜观察产物微细 伊Ga203在还原条件下可转t变成n一型半导体村料，该结构，并对其进行选区电子衍射分析，工作电压为300 村料具有良好的导电和光致发光特性8】。因此，其必 kV，分辨率为O．3～0．5 将在太阳能电池、大平板显示器以及高温气体传感器 衍射仪对试样结构表征，衍射波长为O15405nm。 件应用等方面成为一种极具研究前景的材料‘””。 3结果与讨论 本研究报道了，通过金属镓与水蒸气直接反应制 31 备不同形貌伊Ga203纳米材料的简单方法。通过研究 带催化剂Mgo基片上的肛Ga203纳米线 工艺条件对形貌的影响，确定出台成5种不同形貌 伊Ga203纳米材料的可控工艺。 型不同放大倍数的场发射扫描电镜照片。低放大倍数 电镜照片(图1a)显示，大量的纳米线已形成在单晶 2实验 MgO基片上，纳米线长度约几十微米，多数是直的或 2．1 不同形貌肛Ga：o，纳米材料的合成工艺 台成皿0a203纳米材料是在水平放置的管式石英 炉内进行。分别将单晶Mgo基片(表面带有纳米Ag 催化剂)和si基片(表面无催化剂)放在石英舟中，距 基片lO～20mm处放置1～3 g带水的金属镓，然后把石 英舟放入石英管中部，密封后抽真空，随后通入高纯 Ar，流量18 m“min，并将炉子以190～220℃／h的速率 从室温升至860～880℃，保温肌30min后，使炉子在 Ar中以一定的速度冷至室温。实验结束后，可在基片 图l不同放大倍数卢08203纳米线的典型场 上获得一层白色透明沉积物。合成卢Ga203纳米材料 发射扫描电镜照片 的反应方程式为： Figl FE—sEM 聊ical images 收稿日期： 2007—02—