X光电子谱辅助Raman光谱表征N含量对非晶金刚石薄膜的结构影响.pdfVIP

第29卷，第l期 光谱学筒光谱分辑 V01．29，No。l，pp268—272 200 and Analysis January，2009 9年1月 SpectroscopySpectral X光电子谱辅助Raman光谱表征N含量对 非晶金刚石薄膜的结构影响 陈旺寿，朱嘉琦。，韩杰才，田 桂，檀满林 睹尔滨工业大学复合材料与络构研究所，黑龙江哈尔滨 150080 摘要用过滤阴极真空电弧沉积系统制餐掺N非貉金刚石(ta-C：N)薄膜，通过在阴极电弧区期沉积室 麓时逶入K气实凌{}品金剐石薄膜熬N骧子掺杂，并通过控潮№气漉逮涮备不弱N獗子含量的ta-C：N c群·min叫时，薄膜中N原子含量从0．84at．％增加到 果髭示：当N。气流速从2cm3·min叫增加到20 5，37 at．％，弱时隧薄貘孛N源子含鳖鳇增翔，XPSC(1s)芯筑瀵蜂位呈瑗攀溺增加静趋势，XPSCOs)芯能 谱的半高峰宽也随着N含嫩的增加黼逐渐变宽。在Raman光谱中，随N原子含量增加，G峰的位置从 1561．61 578．81 cm叫升高到1 cm。XPSC(1s)芯能谱和Raman光谱分析结果表明：随N含量的增加， XPS COs)芯熊谱中sp2／s矿值程Raman光谱中岛／毛值均呈上升的趋势，瓤种结果都说暖了隧N蹶子含量 增嬲，薄膜申s扩含量也增搬，薄膜缭稳表现出石整化顿商。 关键词ta-C：N薄膜；过滤阴极真空电弧沉积(FCVA)；XPS；Raman光谶 文黻稼谖璃：A 1000—0593(2009)01-0268—05 孛鬻分类号：0433。1 DOI：10．3964是．issm 弓l 言 l实验 自从Liu等[1]在理}仑上预言可以人工合成硬度和金刚莉 采用过滤阴极真空电弧沉积系统制备ta-C：N薄膜，设 备细带详见文献[5棚。阴极为嬲纯石墨靶(99．999％)，阳极 捆当甚至更离的pCsNt聪，人们便对掺N非晶金刚石(ta-C ：N)薄膜产生了浓潭麓必趣。男外，在{}晶金刚石ta-C)薄接缝，基薄采用擎燕硅越光疆麓。泷积时，№气弱时邋入蓟 膜中掺入N原子，不仪W以降低薄膜的内应力，提高薄膜与 阴极靶区和沉积室，通过控制N2气的流速来控制薄膜中N 基底的附着能力，还可以实现对薄膜的N型掺杂，并提高电 的含量。高电离度的等离子体，通过离面双弯曲过滤镑道滤 簿宏滋藏子霹电子，爱其有逶黧能量静◇一N塞子在基终表 器率等‰引。网时，由予ta-C：N爨褒低豹电子亲程势程薅 的发射电流密度¨j，因此可以作为场发射材料应用于半导体 面凝聚成纯净，致密的掺N非晶金刚石薄膜。实验主要参数 A，基片偏腰一80V，在沉积之前采用 行业。近年来，不同国家的几十个研究小组在不同渠道的支 为，电弧电流60 em3· 持下，都投入了大量的楱力，开展掺Nj}晶金雕石薄膜的磷 Kaufman离子枪刻饿，刻蚀时阀7min，Ar气流量8 究与应用。慑是由于N琢子在薄貘审可以与碳琢予形成多静 rain一1，放电电歪750V，放电电流100mA。在戮上蜜验条 化合物，twC；N的结构形式比较复杂，难以实现对薄膜微件下，猩2～20耐·min_1范围变化№气流速，制备一组 结构的有效控制。为此，本文采用过滤阴极真空电弧技术， 具有不同N含量的ta-C：N薄膜