ZnGa2O4长余辉发光特性的研究.pdfVIP

第28卷，第12期 光谱学与光谱分析 0 and December，2008 20 8年12月 SpectralAnalysis Spectroscopy ZnGa204长余辉发光特性的研究 黄尚利”，张希清1，黄海琴1，姚志刚1 1．北京交通大学光电子技术研究所，发光与光信息技术教育部重点实验室，北京100044 2．北京建筑工程学院物理实验室，北京 100044 nIn 摘要以ZnO和GazQ为原料，采用高温固相法，在不同温度和原料配比下合成了ZnGaz04。用254 的紫外灯照射样品后，发现存在余辉发光，有505和690nlTl两个余辉峰，且余辉峰相对强度受原料配比和 烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505nln峰相对强度较高，ZnO过量和温度较低时690 nin峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源，认为505nln峰来源于结构中Gaa+替代了部分zn2+后相对变形 八面体中Gd+的2EA一4A2能级间跃迁；而690nIn峰起源于晶格中出现氧空位V苫后变形八面体中氧空位 向其周围的()2一的W一02一跃迁。解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因：温度较高时ZnO较多挥 发导致不足，而ZnO不足会使结构中出现Zn2+空位，从而多余的的G矿+出现在这些空位上，其2EA到4Az 能级问跃迁使505nnl发射占优；而温度较低时ZnO挥发较少，由于ZnO相对Gaz03氧不足，可形成更多 的0空位，有利于690nnl发射占优，这与余辉峰来源的讨论相符合。 关键词ZnGa204；长余辉；原料配比；烧结温度；发光特性 中图分类号：0482．3文献标识码：A 的发光中心，出现新的发光峰位，或使原来的发光强度产生 引 言 变化‘…“。 以前对ZnGaz04的研究主要集中在尝试不同的制备方 ZnGaz04是最近研究得比较多的一种自激活型发光材法，得到ZnGaz04样品的粉末或薄膜等不同形态，以及掺杂 料，在TFED，FED，VFD等诸多领域具有广阔的应用前景，其他离子，研究样品的发光特性。但有关ZnGaz04的长余辉 比传统的硫化物发光材料在超高电场、电子轰击等极端条件 发光现象却从未有过报道。 下具有更好的化学稳定性，因而应用更为广泛[1一]。 本文采用高温固相法合成ZnGa204样品，研究了 ZnGaz ZnGa204的粉末形态一般通过高温固相反应由充分混合均匀 04的发光特性，发射光谱和激发光谱主峰分别在430 ～450 nrfl和250～270 的高纯度ZnO和Gaz03粉末烧结而成[3-s]，薄膜形态则主要 nrfl附近，这是与以往的诸多报道相 符合的。而在用254nrfl的紫外光照射激发后，发现在505和 通过脉冲激光沉积(PLD)[6J]和射频磁控溅射(RFMS)[8’9]的 690 方法制备。ZnGa。Q成品具有正尖晶石型结构，属立方晶 nnl附近存在2个余辉发光峰，并且当原料配比和烧结 系，面心立方点阵，其晶胞中32个O原子作立方密排，具有 温度等制备条件发生改变时，这2个余辉峰的相对强度比也