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第23卷第6期 无机材料学报 V01．23．NO．6
Journalof Materials NOV．，2008
2008年11月 Inorganic
文章编号：1000—324X(2008)06—1089—07
ZnGeP2晶体点缺陷的研究进展
朱崇强，杨春晖，王 猛，夏士兴，马天慧， 吕维强
(哈尔滨工业大学应用化学系，哈尔滨150001)
摘要，ZnGeP2晶体是具有重要应用背景的红外非线性光学材料．晶体中的点缺陷严重限制了ZnGeP2晶
体的应用发展．本工作介绍了ZnGeP2晶体点缺陷的最新研究进展情况．首先，利用电子顺磁共振技术研究
了ZnGeP2晶体的点缺陷．主要存在缺陷是受主缺陷V云及施主缺陷V吕和Ge+，其相应的缺陷能级分别为
照射及高温退火等处理后，又分别发现了两种缺陷V蔑和Vpi．其次，利用全势能线性muffin—tin轨道组合法
模拟研究了ZnGeP2晶体的点缺陷．主要存在缺陷及缺陷能级的计算结果与实验结果基本一致，但由于理论模
拟与实际情况还存在差距，有些计算结果与实验结果相矛盾．因此，将实验与理论有机结合研究晶体的点缺陷
是今后研究的重点．
关 键 词：znGePz晶体；电子顺磁共振；受主缺陷；施主缺陷；密度泛函理论
中图分类号：077 文献标识码：A
ofPointDefectsin
Developments ZnGeP2Crystals
ZHU Tian-Hui，LUWei—Qiang
Chong—Qiang，YANGChun—Hui，WANGMeng，XIAShi-Xing，MA
Institute
of of
(DepartmentAppliedChemistry，HarbinTechnology，Harbin150001，China)
is materialwhichisusefulfor inthe
anonlinear importantapplications
Abstract：ZnGeP2optical
infrared seriouslimitationtothe of isthe
region．A developmentZnGeP2一basedapplicationspresence
latest ofthe defectsin issumma-
of defectsinthe ZnGeP2
point crystals．Thedevelopmentpoint
rizedinthe defectsarestudiedelectron resonance
paper．Firstly,thepoint by paramagnetictechnique．
and their lev-
Thedominantdefectsin are energy
point ZnGeP2
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